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本发明提供了一种光电人工突触的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；退火后获得人工突触。本发明人工...
该专利属于光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司授权不得商用。

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