一种集成芯片及其制作方法和集成电路技术

申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。所述集成芯片包括相连接的氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器，氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、外延层、栅极、源极、漏极、钝化层、第一金属层和第二金属层等，LC滤波器包括相连接的电感和电容，电感包括电感绕线和电感端口，电容包括下电极、电容介质和上电极，下电极与所述第一金属层、电感绕线通过同一道制程形成，上电极、第二金属层和电感端口通过同一道制程形成，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合。本申请通过对氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器的集成减小芯片以及产品的体积，提高芯片的性能；还将晶体管和滤波器的相关金属结构同步制程，进一步提高生产效率和芯片性能。

【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片及其制作方法和集成电路
本申请涉及无线通讯领域，尤其涉及一种集成芯片及其制作方法和集成电路。
技术介绍
随着通信技术的发展，射频器件得到越来越广泛的应用，包括基站、手机和其它各种智能终端设备，也包括Sub-6GHz频段和毫米波频段。其中装置于各类无线通信终端系统的射频前端，是实现整个无线通讯智能终端最前端的射频信号接收与发射功能的核心系统，通常由功率发大器(PA)、滤波器(Filter)、低噪声放大器(LNA)和射频开关(RFSwitch)等多个器件组合构成。追求低功耗、高性能、低成本是通信技术升级的主要驱动力，也是芯片设计研发的主要方向。射频电路的技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合，在5G及未来移动通信中，器件的小型化与集成化是主要的趋势。目前，各种射频前端芯片由不同厂家生产，或者由同一公司的不同产品线制作完成，然后在封装阶段集成到一个模块提供给终端用户，连接不同的芯片会增加装配复杂性，还会提高芯片的尺寸和成本。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种将射频前端的多个部件集成在一个芯片上的集成芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括相连接的氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器，所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括：/n衬底；/n外延层；设置在所述衬底的上表面，采用氮化镓系材料制成；/n栅极、源极和漏极，设置在所述外延层的上方；/n钝化层，设置在所述栅极、源极和漏极的上方；/n第一金属层，设置在所述钝化层的上方，与所述源极和漏极相连；/n第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方；/n所述LC滤波器包括相连接的电感和电容，所述电感包括：/n电感绕线，设置在所述钝化层的上方；以及/n电感端口，设置在所述电感绕线的上方，与所述电感绕线的端部连接；/n所述电容包括：/n下电极，设...

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括相连接的氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器，所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括：
衬底；
外延层；设置在所述衬底的上表面，采用氮化镓系材料制成；
栅极、源极和漏极，设置在所述外延层的上方；
钝化层，设置在所述栅极、源极和漏极的上方；
第一金属层，设置在所述钝化层的上方，与所述源极和漏极相连；
第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方；
所述LC滤波器包括相连接的电感和电容，所述电感包括：
电感绕线，设置在所述钝化层的上方；以及
电感端口，设置在所述电感绕线的上方，与所述电感绕线的端部连接；
所述电容包括：
下电极，设置在所述钝化层的上方；
电容介质，设置在所述下电极上；以及
上电极，设置在所述电容介质的上方；
其中，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合；
所述电感绕线、所述下电极与所述第一金属层采用同一制成形成；所述电感端口、所述第二金属层和上电极通过同一道制程形成。


2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第二金属层与所述电感端口通过金属导线相连或通过空气桥耦合，所述电感端口与所述上电极通过金属导线相连或通过空气桥耦合。


3.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，包括相邻设置的晶体管区和LC滤波器区，所述晶体管区设置有氮化镓高电子迁移率晶体管，所述LC滤波器区设置有电感和电容，所述晶体管区和LC滤波器区包括：
第一钝化层，设置在所述外延层上；
第二钝化层，设置在所述第一钝化层；以及
金属间电介质，设置在所述第二钝化层上；
所述晶体管区还包括：
源极、漏极和栅极，贯穿所述第一钝化层，与所述外延层连接；
第一金属层，设置在所述源极和漏极的上方，贯穿所述第二钝化层，且分别与所述源极和漏极连接；以及
第二金属层，设置在所述金属间电介质的上方，贯穿所述金属间电介质，且分别与所述第一金属层连接；
所述LC滤波器区包括电感区和电容区，所述电感区还包括：
电感绕线，设置在所述第二钝化层上；以及
电感端口，设置在所述金属间电介质的上方，包括电感输入电极和电感输出电极，所述电感输入电极与所述电感绕线的一端连接，所述电感输出电极与所述电感绕线的另一端连接；
所述电容区还包括：
下电极，设置在所述第二钝化层上；
电容介质，设置在所述下电极和金属间电介质之间；以及
上电极，设置在所述金属间电介质的上方，包括电容输入电极和电容输出电极，所述电容输入电极贯穿所述金属间电介质和电容介质，与所述下电极连接；所述电容输出电极贯穿所述金属间电介质，与所述电容介质连接；
其中，所述电感输入电极与所述漏极上方的第二金属层通过金属导线相连或通过空气桥连接，所述电感输出电极与所述电容输入电极通过金属导线相连或通过空气桥连接。


4.如权利要求3所述的一种集成芯片，其特征在于，包括：
背孔，贯穿所述衬底和外延层；以及
背面金属层，设置在所述衬底的下表面，通过所述背孔与所述源极连接。


5.如权利要求3所述的一种集成芯片，其特征在于，所述集成芯片还包括与所述电容区或电感区相邻设置的电阻区，所述电阻区内设有电阻，所述电阻包括：
电阻薄膜，设置在所述第二钝化层上；
电阻输入电极，设置在所述金属间电介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊永辉，樊晓兵，许明伟，曾学忠，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44