半导体器件的防御电路和包括该防御电路的半导体器件制造技术

本公开提供半导体器件的防御电路和包括该防御电路的半导体器件。一种半导体器件包括：感测电路，包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件；补偿电路，包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件，其中补偿电路配置为从第一电流去除第二电流以产生第三电流；检测电路，配置为将第三电流转换为光电压并将光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击；以及防御电路，配置为基于确定结果来控制半导体器件执行预定的防御操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的防御电路和包括该防御电路的半导体器件
专利技术构思的示范性实施方式涉及半导体器件的防御电路以及包括该防御电路的半导体器件。
技术介绍
用于从半导体器件提取数据的物理攻击可以根据半导体器件是否被损坏而被分类为非侵入式攻击、半侵入式攻击和侵入式攻击。侵入式攻击是指直接观察并分析半导体器件的内部的攻击方法。侵入式攻击的代表性示例是拆除封装(de-packaging)攻击、探测攻击等。侵入式攻击是直接访问半导体器件内部的电路元件、金属布线等的非常强大的攻击方法。
技术实现思路
根据专利技术构思的一示范性实施方式，一种半导体器件包括：感测电路，包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件；补偿电路，包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件，其中补偿电路配置为从第一电流去除第二电流以产生第三电流；检测电路，配置为将第三电流转换为光电压并将光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击；以及防御电路，配置为基于确定结果来控制半导体器件执行预定的防御操作。根据专利技术构思的一示范性实施方式，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n感测电路，包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件；/n补偿电路，包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件，其中所述补偿电路配置为从所述第一电流去除所述第二电流以产生第三电流；/n检测电路，配置为将所述第三电流转换为光电压并将所述光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击；以及/n防御电路，配置为基于所述确定的结果来控制所述半导体器件执行预定的防御操作。/n

【技术特征摘要】
20200107 KR 10-2020-00018641.一种半导体器件，包括：
感测电路，包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件；
补偿电路，包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件，其中所述补偿电路配置为从所述第一电流去除所述第二电流以产生第三电流；
检测电路，配置为将所述第三电流转换为光电压并将所述光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击；以及
防御电路，配置为基于所述确定的结果来控制所述半导体器件执行预定的防御操作。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中施加到所述第一半导体元件的反向偏置电压具有与施加到所述第二半导体元件的反向偏置电压相同的电平。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体元件具有与所述第一半导体元件相同的特性并与所述第一半导体元件相邻地设置。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述补偿电路还包括阻挡所述外部入射光的光学屏蔽层。


5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述补偿电路还包括输入电阻器，所述输入电阻器连接在配置为供应电源电压的电源节点与所述第二半导体元件之间。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体元件包括多个光敏元件，并且
所述第一电流对应于由所述多个光敏元件产生的光电流的平均值。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体元件包括多个光敏元件，并且
所述检测电路基于由所述多个光敏元件产生的光电流来确定是否已经发生所述外部攻击。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外部攻击包括对所述半导体器件的拆除封装攻击。


9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述感测电路、所述补偿电路、所述检测电路和所述防御电路被包括在单个半导体芯片中。


10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述感测电路、所述补偿电路和所述检测电路被包括在第一半导体芯片中，所述防御电路被包括在第二半导体芯片中，并且
所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片是分开的。


11.一种半导体器件的防御电路，所述防御电路包括：
连接到第一节点的第一二极管；
连接到第二节点的第二二极管；
输入电阻器，连接在配置为供应电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲焕，金光镐，许栋勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR