【技术实现步骤摘要】
发光基板及其制备方法、显示装置
本文涉及但不限于显示技术,尤指一种发光基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,LED)技术发展了近三十年,从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏,为其更广泛的应用提供了坚实的基础。其中,随着芯片制作及封装技术的发展,采用亚毫米量级甚至微米量级的微LED的背光源得到了广泛的应用。
技术实现思路
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。本公开实施例提供一种发光基板及其制备方法、显示装置。一方面,本公开实施例提供一种发光基板,包括:衬底基板、设置在所述衬底基板上的挡墙以及多个发光二极管。所述挡墙在衬底基板上隔离出多个分区,至少一个分区内设置有至少一个发光二极管。在一些示例性实施方式中,在所述挡墙的平行于所述衬底基板所在平面的两个截面中,靠近所述衬底基板的截面的面积大于远离所述衬底基板的截面的面积。在一些示例性实施方式中,所述挡墙的材料包括反光材 ...
【技术保护点】
1.一种发光基板,其特征在于,包括:/n衬底基板、设置在所述衬底基板上的挡墙以及多个发光二极管;所述挡墙在所述衬底基板上隔离出多个分区,至少一个分区内设置有至少一个发光二极管。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光基板,其特征在于,包括:
衬底基板、设置在所述衬底基板上的挡墙以及多个发光二极管;所述挡墙在所述衬底基板上隔离出多个分区,至少一个分区内设置有至少一个发光二极管。
2.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,在所述挡墙的平行于所述衬底基板所在平面的两个截面中,靠近所述衬底基板的截面的面积大于远离所述衬底基板的截面的面积。
3.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述挡墙的材料包括反光材料。
4.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述挡墙为网状结构,所述网状结构包括至少一个网格,至少一个网格围绕多个相邻的发光二极管。
5.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,在第一平面内,两个相邻发光二极管在第一方向上的相邻边缘之间的距离与所述挡墙在第一方向的最大长度之间的比值约为4.0至5.5;所述第一平面垂直于所述衬底基板所在平面且经过两个相邻发光二极管的出光面的中心线,所述第一方向平行于第一平面且与所述发光二极管的出光面的中心线交叉。
6.根据权利要求5所述的发光基板,其特征在于,在所述第一平面内,所述挡墙在第二方向的最大长度与所述挡墙在第一方向的最大长度之间的比值约为0.5至0.8,所述第二方向平行于所述第一平面且与所述第一方向交叉。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板,其特征在于,所述发光基板还包括:透光保护层,所述透光保护层覆盖所述多个发光二极管。
8.根据权利要求7所述的发光基板,其特征在于,所述透光保护层具有远离所述衬底基板的第一表面,...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹鹏军,李沛,李金鹏,李健,张腾,常康乐,李召辉,杨志富,
申请(专利权)人:京东方晶芯科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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