【技术实现步骤摘要】
整形电路、测试板卡及测试机
本专利技术涉及电子电路
，具体涉及一种整形电路、测试板卡及测试机。
技术介绍
在电子产品生产领域，通常要对电子产品成品或半成品进行测试，以进行对电子产品的质检。测试过程是通过测试板卡控制被测产品进入相应的模式或做相应的动作，然后采集在各种状态下被测产品的电压、电流、频率等参数，然后对采集到的参数进行分析来判断被测产品是否满足设计要求。测试过程是使用测量板卡连接到电子产品的相应端口，然后采集电流、电压和频率，通过测量板卡的ADC转换功能将模拟量转换为数字信号后，再将数字信号上传至上位机如处理器，利用上位机来对采集到的参数数据进行相应分析。然而一些测试机如STS8200测试机的测量板卡对于超过一定量程例如25V量程档的电压信号无法测试。若被测信号的幅值超过阈值且为边缘抖动的如方波信号，那么该方波信号的频率也不能被有效的测量。甚至若被测信号的幅值电压过高还会烧毁测试机板卡。针对上述问题，现有的解决方案为在测试板卡上外搭测试电路，如此不仅增加了外围测试元件和测试成本，还存在环路阻抗不匹配等问题，进而导致测试失真，影响被测对象自身功能的真实显现。因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种整形电路、测试板卡及测试机，可以实时检测待测信号的幅值是否超过测试机的量程，并对超过量程的待测信号进行分压处理，实现了对不同幅值待测信号的频率测量，同时也能够对待测信号进行整形处理，提高...
【技术保护点】
1.一种整形电路，其特征在于，包括：/n过压检测单元，接收待测信号，用于判断所述待测信号的幅值是否超过阈值，并根据判断结果输出控制信号；/n处理单元，接收所述待测信号，并与所述过压检测单元连接，接收所述控制信号，根据所述控制信号输出所述待测信号和分压后的待测信号的其中之一；/n整形单元，与所述处理单元连接，用于对所述处理单元输出的信号进行整形。/n
【技术特征摘要】
1.一种整形电路，其特征在于，包括：
过压检测单元，接收待测信号，用于判断所述待测信号的幅值是否超过阈值，并根据判断结果输出控制信号；
处理单元，接收所述待测信号，并与所述过压检测单元连接，接收所述控制信号，根据所述控制信号输出所述待测信号和分压后的待测信号的其中之一；
整形单元，与所述处理单元连接，用于对所述处理单元输出的信号进行整形。
2.根据权利要求1所述的整形电路，其特征在于，在所述待测信号的幅值超过所述阈值时，所述处理单元输出所述分压后的待测信号；
在所述待测信号的幅值小于或等于所述阈值时，所述处理单元输出所述待测信号。
3.根据权利要求1所述的整形电路，其特征在于，所述过压检测单元包括：
第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻依次串联于待测信号输入端与接地端之间；
第一比较器，同相输入端与所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点连接，反相输入端接收第一基准电压，输出端输出所述控制信号。
4.根据权利要求3所述的整形电路，其特征在于，所述第一基准电压的电压值等于所述阈值对应电压值与所述第一电阻和所述第二电阻的分压比例的乘积。
5.根据权利要求1所述的整形电路，其特征在于，所述处理单元包括：
第一开关管，第一通路端接收所述待测信号，第二通路端通过串联的第三电阻和第四电阻接地，控制端接收所述控制信号；
反相器，输入端接收所述控制信号；
第二开关管，第一通路端接收所述待测信号，控制端与所述反相器的输出端连接，
其中，所述第三电阻和所述第四电阻的连接节点与所述第二开关管的第二通路端连接，用以输出所述待测信号和所述分压后的待测信号的其中之一。
6.根据权利要求5所述的整形电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管均为NMOS晶体管。
7.根据权利要求1所述的整形电路，其特征在于，所述处理单元包括：
第一开关管，第一通路端接收所述待测信号，第二通路端通过串联的第三电阻和第四电阻接地，控制端接收所述控制信号；
第二开关管，第一通路端接收所述待测信号，控制端接收所述控制信号，
其中，所述第三电阻和所述第四电阻的连接节点与所述第二开关管的第二通路端连接，用以以输出所述待测信号和所述分压后的待测信号的其中之一。
8.根据权利要求7所述的整形电路，其特征在于，所述第一开关管为NMOS晶体管，所述第二开关管为PMOS晶体管。
9.根据权利要求1所述的整形电路，其特征在于，所述整形单元包括：
第二比较器，同相输入端与所述处理单元的输出端连接，反相输入端接收第二基准电压，输出端输出整形后的待测信号。
10.一种测试板卡，其特征在于，包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：田坤，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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