发光元件及含该发光元件的封装结构和光电系统技术方案

本实用新型专利技术公开一种发光元件及含发光元件的封装结构和光电系统，其中发光元件包含基板、发光叠层、上电极、接触结构及接触层。发光叠层位于基板上，具有一出光面。发光叠层包含多个半导体层。上电极位于出光面上且包含电极部、第一延伸部与多个第二延伸部。电极部具有第一宽度之第一电极部以及第二电极部。第一电极部以及第二电极部在水平方向上不重叠。第一延伸部与电极部电连接且具有第二宽度。各第二延伸部与第一延伸部相连接或者与第一电极部及第二电极部相连接且具有第三宽度。第二宽度介于第一宽度和第三宽度之间。接触结构位于发光叠层及基板之间，且在垂直于发光叠层的方向上不与上电极重叠。接触层位于上电极与发光叠层之间。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及含该发光元件的封装结构和光电系统本申请是中国技术专利申请(申请号：202020350358.8，申请日：2020年03月19日，技术名称：发光元件及含该发光元件的封装结构和光电系统)的分案申请。
本技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有良好电流散布效果的发光元件。
技术介绍
光电元件，例如发光二极管(Light-EmittingDiode；LED)，目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。目前，发光二极管仍具有电流散布不均的问题，进而造成发光效率低落。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种发光元件，以解决上述问题。为达上述目的，本技术提供一种发光元件，该发光元件包含：基板；发光叠层，位于该基板上，该发光叠层具有出光面且包含多个半导体层；上电极，位于该出光面上，该上电极包含：电极部，包含具有第一宽度的第一电极部以及第二电极部，该第一电极部及该第二电极部在水平方向上不重叠；第一延伸部，与该电极部电连接且具有第二宽度；多个第二延伸部中之一个与该第一延伸部、该第一电极部或该第二电极部相连接且具有第三宽度，该第二宽度介于该第一宽度和该第三宽度之间；接触结构，位于该发光叠层及该基板之间，且在垂直于该发光叠层的方向上不与该上电极重叠；以及接触层，位于该上电极与该发光叠层之间。根据一实施例，发光元件还包含第一窗口层，位于该发光叠层与该接触层之间且该第一窗口层的表面为粗化表面。根据一实施例，该第一延伸部的宽度是渐变的，且该第二宽度为该第一延伸部的最大宽度。根据一实施例，出光面上对应于接触结构的位置定义出电流通道区，电流通道区位于任两条相邻的该多个第二延伸部与该第一延伸部之间；其中该第一延伸部与该电流通道区之间具有一个最短的距离D1，该电流通道区与该接触层之间具有一个最短的距离s2，且距离D1大于距离s2。根据一实施例，该出光面上对应于该接触结构的位置定义出电流通道区，该电流通道区位于任两条相邻的该多个第二延伸部与该第一延伸部之间；其中该接触层具有一端部，该端部与该电流通道区之间具有一个最短的距离s1，该电流通道区与该接触层之间具有一个最短的距离s2，且s1/s2的范围大于0且小于5。根据一实施例，该接触结构包含III-V族半导体材料。根据一实施例，该出光面上对应于该接触结构的位置定义出电流通道区，该电流通道区位于任两条相邻的该多个第二延伸部与该第一延伸部之间；其中在垂直于该发光叠层的方向上，该接触层与该接触结构之间具有距离H1，该电流通道区与该接触层之间具有一个最短的距离s2，且该距离s2大于该距离H1。根据一实施例，该接触层在垂直于该发光叠层的方向上不与该第一延伸部以及该电极部重叠。根据一实施例，第二延伸部的宽度是渐变的。根据一实施例，第一延伸部与多个第二延伸部实质上垂直。根据一实施例，第二宽度大于第三宽度。根据一实施例，发光元件还包含反射层，位于基板与发光叠层之间。根据一实施例，发光元件还包含绝缘层，位于反射层之上且包含多个孔洞。根据一实施例，接触结构的厚度大于绝缘层的厚度。根据一实施例，发光元件还包含第二窗口层，位于发光叠层与接触结构之间且第一窗口层厚度大于第二窗口层的厚度。根据一实施例，发光元件还包含保护层，覆盖于粗化表面上。根据一实施例，多个第二延伸部中之另一个同时与第一电极部及第二电极部连接。根据一实施例，接触层具有第一部分及第二部分，第一部分设置于第二延伸部下方。根据一实施例，第二部分在垂直方向上与第一延伸部的一部分重叠。根据一实施例，接触层与第一延伸部之间隔开一距离。根据一实施例，接触层具有侧表面以及上表面，多个第二延伸部覆盖侧表面以及上表面。根据一实施例，于上视图中，电流通道区包含呈点状阵列的多个区域。根据一实施例，发光元件具有第一侧、第二侧、第三侧及第四侧围绕出光面，第一电极部最靠近第一侧且第二电极部最靠近第二侧，各第二延伸部实质上与第三侧或第四侧平行。本技术还提供一种封装结构，该封装结构包含：载体；如上述的发光元件，位于该载体上；以及封装材料层，覆盖于该发光元件上。本技术还提供一种光电系统，该光电系统包含：底板；如上述的发光元件，位于该底板上；以及控制模块。本技术的优点在于，通过上述发光元件的设计，有利于元件发光均匀性的改善，且提高发光效率。例如，通过上述发光元件的设计，使其电极部一开始引入的电流密度较大，具有较大的宽度的第一延伸部可有效率地将电流往第三侧及第四侧散开，接着再通过多条第二延伸部将电流往第一侧及第二侧散布，从而使得电流可以均匀地在出光面分散开，有利于元件发光均匀性的改善，且提高发光效率。本技术的发光元件或封装结构可应用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域的产品，例如灯具、监视器、手机、平板计算机、车用仪表板、电视、计算机、穿戴设备(如手表、手环、项链等)、交通号志、户外显示器、医疗器材等。此外，本技术另提供一种发光元件包含基板、发光叠层、上电极、接触结构及接触层。发光叠层位于基板上，具有一出光面。发光叠层包含多个半导体层。上电极位于出光面上且包含电极部、第一延伸部与多个第二延伸部。电极部具有第一宽度之第一电极部以及第二电极部。第一电极部以及第二电极部在水平方向上不重叠。第一延伸部与电极部电连接且具有第二宽度。多个第二延伸部与第一延伸部相连接且具有第三宽度。第二宽度介于第一宽度和第三宽度之间。接触结构位于发光叠层及基板之间，且在垂直于发光叠层的方向上不与上电极重叠。接触层位于上电极与发光叠层之间。根据一实施例，第一宽度大于第三宽度。根据一实施例，发光元件还包含窗口层，位于发光叠层与接触层之间。窗口层的一表面为粗化表面。根据一实施例，第一延伸部的宽度是渐变的，且第二宽度为第一延伸部的最大宽度。根据一实施例，发光元件还包含电流通道区，位于任两条相邻的多个第二延伸部与第一延伸部之间。根据一实施例，第一延伸部与电流通道区之间具有一个最短的距离D1，电流通道区与接触层之间具有一个最短的距离s2，且距离D1大于距离s2。根据一实施例，接触层具有一端部，端部与电流通道区之间具有一个最短的距离s1，电流通道区与接触层之间具有一个最短的距离s2，且s1/s2的范围大于0且小于5。根据一实施例，在垂直于发光叠层的方向上，接触层与接触结构之间具有一距离H1，电流通道区与接触层之间具有一个最短的距离s2，且距离s2大于距离H1。根据一实施例，接触结构包含III-V族半导体材料。根据一实施例，接触层在垂直于发光叠层的方向上不与第一延伸部以及电极部重叠。本技术还提供一种封装结构，包含：载体；如上述的发光元件，位于载体上；以及封装材料层，覆盖于发光元件上。本技术还提供一种光电系统，包含：底板；如上述的发光元件，位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，该发光元件包含：/n基板；/n发光叠层，位于该基板上，该发光叠层具有出光面且包含多个半导体层；/n上电极，位于该出光面上，该上电极包含：/n电极部，包含具有第一宽度的第一电极部以及第二电极部，该第一电极部及该第二电极部在水平方向上不重叠；/n第一延伸部，与该电极部电连接且具有第二宽度；以及/n多个第二延伸部，该多个第二延伸部中之一个与该第一延伸部、该第一电极部或该第二电极部相连接且具有第三宽度，该第二宽度介于该第一宽度和该第三宽度之间；/n接触结构，位于该发光叠层及该基板之间，且在垂直于该发光叠层的方向上不与该上电极重叠；以及/n接触层，位于该上电极与该发光叠层之间。/n

【技术特征摘要】
20190321 TW 1081097711.一种发光元件，其特征在于，该发光元件包含：
基板；
发光叠层，位于该基板上，该发光叠层具有出光面且包含多个半导体层；
上电极，位于该出光面上，该上电极包含：
电极部，包含具有第一宽度的第一电极部以及第二电极部，该第一电极部及该第二电极部在水平方向上不重叠；
第一延伸部，与该电极部电连接且具有第二宽度；以及
多个第二延伸部，该多个第二延伸部中之一个与该第一延伸部、该第一电极部或该第二电极部相连接且具有第三宽度，该第二宽度介于该第一宽度和该第三宽度之间；
接触结构，位于该发光叠层及该基板之间，且在垂直于该发光叠层的方向上不与该上电极重叠；以及
接触层，位于该上电极与该发光叠层之间。


2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该发光元件还包含第一窗口层，位于该发光叠层与该接触层之间且该第一窗口层的表面为粗化表面。


3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一延伸部的宽度是渐变的，且该第二宽度为该第一延伸部的最大宽度。


4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该出光面上对应于该接触结构的位置定义出电流通道区，该电流通道区位于任两条相邻的该多个第二延伸部与该第一延伸部之间；其中该第一延伸部与该电流通道区之间具有一个最短的距离D1，该电流通道区与该接触层之间具有一个最短的距离s2，且距离D1大于距离s2。


5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该出光面上对应于该接触结构的位置定义出电流通道区，该电流通道区位于任两条相邻的该多个第二延伸部与该第一延伸部之间；其中该接触层具有一端部，该端部与该电流通道区之间具有一个最短的距离s1，该电流通道区与该接触层之间具有一个最短的距离s2，且s1/s2的范围大于0且小于5。


6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该接触结构包含III-V族半导体材料。


7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该出光面上对应于该接触结构的位置定义出电流通道区，该电流通道区位于任两条相邻的该多个第二延伸部与该第一延伸部之间；其中在垂直于该发光叠层的方向上，该接触层与该接触结构之间具有距离H1，该电流通道区与该接触层之间具有一个最短的距离s2，且该距离s2大于该距离H1。


8.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该接触层在垂直于该发光叠层的方向上不与该第一延伸部以及该电极部重叠。


9.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第二延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊宇，李俊毅，邱毅扬，陈怡名，李世昌，王种皓，张峻玮，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71