影像感测器结构及其制造方法技术

一种影像感测器结构及其制造方法，该影像感测器结构包括半导体元件、形成于半导体基板中的多个影像感测元件、形成于半导体基板上的内连接结构，及半导体基板上的复合网格结构。复合网格结构包括钨网格、钨网格上方的氧化物网格，及将钨网格与氧化物网格间隔开的粘附增强网格。

【技术实现步骤摘要】
影像感测器结构及其制造方法
本揭露是关于一种影像感测器，特别是关于影像感测器网格及其制造方法。
技术介绍
具有影像感测器的集成电路(Integratedcircuit；IC)使用在范围广泛的现代电子装置中。近年来，互补金氧半导体(complementarymetal-oxidesemiconductor；CMOS)影像感测器已开始看到广泛使用，主要替换电荷耦合装置(charge-coupleddevice；CCD)影像感测器。与CCD影像感测器相比，CMOS影像感测器由于低功率消耗、小尺寸、快速数据处理、直接数据输出及低制造成本而日益受欢迎。CMOS影像感测器的类型包括前照式(front-sideilluminated；FSI)影像感测器及背照式(back-sideilluminated；BSI)影像感测器。
技术实现思路
在一些实施例中，影像感测器结构包括半导体基板、形成于半导体基板中的多个影像感测元件、形成于半导体基板上的内连接结构、及半导体基板上的复合网格结构。复合网格结构包括钨网格、钨网格上方的氧化物网格、及将钨网格本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种影像感测器结构，其特征在于，包含：/n一半导体基板；/n多个影像感测元件，形成于该半导体基板中；/n一内连接结构，其形成于该半导体基板上；以及/n一复合网格结构，于该半导体基板上，其中该复合网格结构包含一钨网格、该钨网格上的一氧化物网格、及一粘附增强网格，该粘附增强网格将该钨网格与该氧化物网格间隔开。/n

【技术特征摘要】
20200117 US 16/746,7201.一种影像感测器结构，其特征在于，包含：
一半导体基板；
多个影像感测元件，形成于该半导体基板中；
一内连接结构，其形成于该半导体基板上；以及
一复合网格结构，于该半导体基板上，其中该复合网格结构包含一钨网格、该钨网格上的一氧化物网格、及一粘附增强网格，该粘附增强网格将该钨网格与该氧化物网格间隔开。


2.根据权利要求1所述的影像感测器结构，其特征在于，该粘附增强网格包含多个网格线，所述多个网格线各自具有随着距该半导体基板的一距离增加而增加的一宽度。


3.根据权利要求1所述的影像感测器结构，其特征在于，该钨网格包含多个网格线，所述多个网格线各自具有随着距该半导体基板的一距离增加而减少的一宽度。


4.根据权利要求1所述的影像感测器结构，其特征在于，该氧化物网格包含多个网格线，所述多个网格线各自具有一渐缩顶部分段。


5.根据权利要求1所述的影像感测器结构，其特征在于，该复合网格结构还包含该氧化物网格上的一氮氧化物网格。


6.一种影像感测器结构，其特征在于，包含：
一半导体基板；
多个光电二极管，于该半导体基板中；
一内连接结构，于该半导体基板上；以及
一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林津裕，廖耕颍，叶书佑，陈柏仁，董怀仁，陈咸利，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71