存储器封装件及其形成方法技术

一种封装件包括贴合到逻辑装置的存储器堆叠，所述存储器堆叠包括：第一存储器结构；第一重布线层，位于所述第一存储器结构之上并电连接到所述第一存储器结构；第二存储器结构，位于所述第一重布线层上；第二重布线层，位于所述第二存储器结构之上并电连接到所述第二存储器结构；以及第一金属柱，位于所述第一重布线层上并邻近所述第二存储器结构，所述第一金属柱电连接所述第一重布线层与所述第二重布线层，其中所述第一存储器结构中的每一第一存储器结构包括：存储器管芯，包括第一接触垫；以及周边电路系统管芯，包括第二接触垫，其中所述存储器管芯的所述第一接触垫结合到所述周边电路系统管芯的所述第二接触垫。

【技术实现步骤摘要】
存储器封装件及其形成方法
本公开实施例是有关于存储器封装件及其形成方法。
技术介绍
高性能计算(High-PerformanceComputing，HPC)系统通常包括结合到逻辑管芯的高带宽存储器(High-Bandwidth-Memory，HBM)堆叠。HBM堆叠通常包括堆叠在一起的多个存储器管芯，其中较高的存储器管芯通过焊料结合或利用微凸块实现的金属直接结合而结合到较低的存储器管芯。在存储器管芯中形成有硅穿孔(Through-SiliconVia，TSV)，使得上部管芯可通过TSV电连接到逻辑管芯。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，一种存储器封装件的形成方法包括：形成第一组存储器结构及第二组存储器结构，其中形成所述第一组存储器结构及所述第二组存储器结构中的每一存储器结构包括在第一衬底上形成包括存储器组件的第一装置、在第二衬底上形成第二装置、以及将所述第二装置结合到所述第一装置，以将所述第一装置电耦合到所述第二装置；形成存储器结构堆叠，包括将所述第一组存储器结构放置在载体上、在所述第一组存储器结构上形成电连接到所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n形成第一组存储器结构及第二组存储器结构，其中形成所述第一组存储器结构及所述第二组存储器结构中的每一存储器结构包括：/n在第一衬底上形成包括存储器组件的第一装置；/n在第二衬底上形成第二装置；以及/n将所述第二装置结合到所述第一装置，以将所述第一装置电耦合到所述第二装置；/n形成存储器结构堆叠，包括：/n将所述第一组存储器结构放置在载体上；/n在所述第一组存储器结构上形成电连接到所述第一组存储器结构的第一重布线结构；/n在所述第一重布线结构上形成电连接到所述第一重布线结构的第一组穿孔；以及/n将所述第二组存储器结构放置在所述第一重布线结构上；以及/n将所述存储器结构堆叠贴...

【技术特征摘要】
20200117 US 16/745,7181.一种方法，包括：
形成第一组存储器结构及第二组存储器结构，其中形成所述第一组存储器结构及所述第二组存储器结构中的每一存储器结构包括：
在第一衬底上形成包括存储器组件的第一装置；
在第二衬底上形成第二装置；以及
将所述第二装置结合到所述第一装置，以将所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，蔡仲豪，王垂堂，王奕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71