氮化镓半导体器件封装件制造技术

本实用新型专利技术提供一种氮化镓半导体器件封装件，氮化镓半导体器件封装件包括基板、密封材料和氮化镓半导体器件；基板上设置有源极端子、栅极端子和漏极端子；氮化镓半导体器件包括硅衬底、外延层、源极金属、栅极金属和漏极金属；外延层制作在硅衬底上，源极金属、栅极金属和漏极金属均位于外延层上，硅衬底的背面设置有金属层；硅衬底和外延层上贯穿地设置有穿硅通孔，穿硅通孔内设置有电气互连件，电气互连件将源极金属与金属层电连接，金属层与源极端子电连接；漏极金属连接有第一桥接铜片，第一桥接铜片穿过密封材料后与漏极端子电连接；栅极金属与栅极端子电连接。氮化镓半导体器件封装件采用硅衬底且导热性能好。装件采用硅衬底且导热性能好。装件采用硅衬底且导热性能好。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓半导体器件封装件


[0001]本技术涉及半导体
，具体地说，是涉及一种氮化镓半导体器件封装件。

技术介绍

[0002]氮化镓半导体器件在功率放大领域具有非常广泛的应用前景，但是氮化镓半导体器件功率密度高，结温高，会影响器件效率。现有的氮化镓半导体器件主要采用高导热系数的SiC或者金刚石作为衬底。但是SiC或者金刚石的成本高昂，许多厂商多采用Si衬底作为替代方案，但Si导热系数低，不利于散热。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种采用硅衬底且导热性能好的氮化镓半导体器件封装件。
[0004]为实现上述第一目的，本技术提供一种氮化镓半导体器件封装件，包括基板、密封材料和氮化镓半导体器件；密封材料将氮化镓半导体器件包裹在基板上；基板上设置有源极端子、栅极端子和漏极端子；氮化镓半导体器件包括硅衬底、外延层、源极金属、栅极金属和漏极金属；外延层制作在硅衬底上，源极金属、栅极金属和漏极金属均位于外延层上，硅衬底的背面设置有金属层；硅衬底和外延层上贯穿地设置有穿硅通孔，穿硅通孔内设置有电气互连件，电气互连件将源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.氮化镓半导体器件封装件，其特征在于，包括基板、密封材料和氮化镓半导体器件；所述密封材料将所述氮化镓半导体器件包裹在所述基板上；所述基板上设置有源极端子、栅极端子和漏极端子；所述氮化镓半导体器件包括硅衬底、外延层、源极金属、栅极金属和漏极金属；所述外延层制作在所述硅衬底上，所述源极金属、所述栅极金属和所述漏极金属均位于所述外延层上，所述硅衬底的背面设置有金属层；所述硅衬底和所述外延层上贯穿地设置有穿硅通孔，所述穿硅通孔内设置有电气互连件，所述电气互连件将所述源极金属与所述金属层电连接，所述金属层与所述源极端子电连接；所述漏极金属连接有第一桥接铜片，所述第一桥接铜片穿过所述密封材料后与所述漏极端子电连接；所述栅极金属与所述栅极端子电连接。2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：所述栅极金属连接有第二桥接铜片，所述第二桥接铜片穿过所述密封材料连接至所述栅极端子。3.根据权利要求2所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：所述第二桥接铜片与所述栅极金属通过焊料焊接的方式或者通过超声键合的方式连接。4.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：所述栅极金属通过打线...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚卫刚，黄敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：