一种磁控溅射平面阴极装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一种磁控溅射平面阴极装置，包含磁体组和磁轭，所述磁体组包括三套磁体组，分别是直道区磁体组、过渡区磁体组及环形区磁体组，过渡区磁体组衔接直道区磁体组和环形区磁体组；所述直道区磁体组和过渡区磁体组分别包含一组中心磁铁和两组外侧磁铁，环形区磁体组包含一组中心磁铁和一组外环磁铁；直道区磁体组的外侧磁体的间距为d1，环形区磁体组的外环磁铁直径为d2，则d2>d1。本发明专利技术通过改变磁体的形状和磁体在磁轭上的排布，改进了靶材环形区域和过渡区域的磁场分布，从而改善了磁控溅射靶材表面过渡区域和环形区域局部刻蚀过快的问题，达到降低刻蚀速率的目的，并且在不增加靶材长度的情况下，加长了靶材的有效均匀溅射区域，提高靶材的利用率，同时降低磁控溅射镀膜成本。膜成本。膜成本。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射平面阴极装置


[0001]本专利技术涉及磁控溅射
，具体涉及一种磁控溅射平面阴极装置。

技术介绍

[0002]物理气相沉积是一种利用物理方式在基材上沉积薄膜的技术。磁控溅射技术是物理气相沉积技术的一种。在磁控溅射镀膜技术中，在被处理材料即靶材背面配置磁场发生装置的磁控溅射技术为溅射法中的主流。磁控溅射通过磁体在靶材的表面形成磁场，利用电子的漂移运动将等离子体约束于靶材的表面附近，因此形成高密度的等离子体；高能离子(通常为电场加速的氩气离子)轰击靶材表面，靶材表面离子或原子与入射的高能离子交换能量后从靶材表面飞溅出来，并在基材上沉积成膜。
[0003]磁控溅射平面阴极的磁场发生装置在靶材表面形成的磁场分布决定了靶材被高能粒子刻蚀消耗后的刻蚀沟道形状，同时也决定了靶材的溅射效率和利用率。
[0004]现有常见的磁控溅射平面阴极示意图见图1，一般包含靶材1和磁场发生装置(包含磁体组2和磁轭3)，磁体组2置于磁轭3和靶材1之间，通常是三组磁体，包括一组位于中部的中心磁铁21和两组位于两侧的外侧磁铁22。磁体磁化极轴垂直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射平面阴极装置，包含磁体组(2)和磁轭(3)，在使用时配合靶材(1)设置，磁体组(2)固定在磁轭(3)上置于磁轭(3)和靶材(1)之间，其中，磁体组(2)包括位于磁轭中部的中心磁铁和位于磁轭边缘的外侧磁铁，磁体磁化极轴垂直于靶材(1)平面，外侧磁铁磁极方向相同，外侧磁铁与中心磁铁磁极相反，外侧磁铁由磁轭与中心磁铁连接形成闭合磁回路，并在靶材表面形成磁场从而约束等离子体；其特征在于：所述磁体组(2)包括三套磁体组，分别是直道区磁体组(5)、过渡区磁体组(6)及环形区磁体组(7)，过渡区磁体组(6)衔接直道区磁体组(5)和环形区磁体组(7)；所述直道区磁体组(5)和过渡区磁体组(6)分别包含一组中心磁铁和两组外侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢斌，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：