一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法。氧化铟锡薄膜图案的制备方法包括：提供基板；在基板的表面形成氧化铟锡薄膜；对氧化铟锡薄膜进行均匀化处理；对氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀。本发明专利技术达到了制备低电阻、高精细的氧化铟锡薄膜图案的效果。细的氧化铟锡薄膜图案的效果。细的氧化铟锡薄膜图案的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及制造
，尤其涉及一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法。

技术介绍

[0002]氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜具有优良的导电性和可见光透射率，其广泛应用于光电器件中，如触摸屏、传感器、显示器及太阳能等领域。
[0003]目前，获得图案化的ITO薄膜主要采用湿法刻蚀、干法刻蚀或激光刻蚀等方法，均是先进行图案刻蚀，再对ITO薄膜进行退火处理，先进行刻蚀处理，容易出现过刻蚀和刻蚀不均匀、边缘不规整的问题，使得ITO薄膜有非晶成分存在，使得ITO薄膜的电阻较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法，以实现制备低电阻、高精细的氧化铟锡薄膜图案。
[0005]本专利技术实施例提供了一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法，氧化铟锡薄膜图案的制备方法包括：
[0006]提供基板；
[0007]在所述基板的表面形成氧化铟锡薄膜；
[0008]对所述氧化铟锡薄膜进行均匀化处理；
[0009]对所述氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀。
[0010]可选地，对所述氧化铟锡薄膜进行均匀化处理包括：
[0011]对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理。
[0012]可选地，对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理之前还包括：
[0013]对所述氧化铟锡薄膜进行平坦化处理。
[0014]可选地，对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理包括：
[0015]通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理。
[0016]可选地，通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理包括：
[0017]在预设退火温度下通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理，其中，所述预设退火温度大于或等于150摄氏度，且小于或等于350摄氏度。
[0018]可选地，在预设退火温度下通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理包括：
[0019]将所述氧化铟锡薄膜图案放置在包括烘箱、微波加热装置以及激光发射装置中的至少一种加热装置中，在预设退火温度下通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理。
[0020]可选地，所述激光发射装置发射的激光的能量密度为大于或等于50毫焦/平方厘米且小于或等于120毫焦/平方厘米。
[0021]可选地，通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理包括：
[0022]在真空环境中或者包括氧气、氮气、笑气、臭氧、氩气以及空气中的至少一种组成的混合气体环境中，通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理。
[0023]可选地，对所述氧化铟锡薄膜进行平坦化处理包括：
[0024]采用等离子体表面修饰工艺对所述氧化铟锡薄膜进行平坦化处理。
[0025]可选地，在所述基板的表面形成氧化铟锡薄膜包括：
[0026]通过磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热分解法、溶液法、水热法以及真空蒸发法中的至少一种在所述基板的表面形成氧化铟锡薄膜。
[0027]本专利技术通过提供基板，在基板上形成氧化铟锡薄膜，对氧化铟锡薄膜进行均匀化处理，再对氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀。通过在进行图案化刻蚀前，先对氧化铟锡薄膜进行均匀化处理，使得氧化铟锡薄膜的形貌和内部组织的物理化学性能更均匀，从而使得薄膜在后续的图案化刻蚀中各区域具有均匀性的刻蚀速率，为规整的边缘刻蚀形貌提供保障。在均匀的氧化铟锡薄膜上进行刻蚀，可以使得刻蚀速率更好控制，避免出现过刻蚀或者欠刻蚀的现象，以及避免出现非晶态的组织过多的情况，使得氧化铟锡薄膜的图案更均匀，增强氧化铟锡薄膜的导电性，减小氧化铟锡薄膜的阻值，从而获得低阻值、高精细的氧化铟锡薄膜图案。而且在对氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀时采用湿法刻蚀，可以降低成本。本专利技术解决了氧化铟锡薄膜的图案不均匀、不精细，以及成本高的问题，达到了制备低电阻、高精细的氧化铟锡薄膜图案，并降低制备成本的效果。
附图说明
[0028]图1是本专利技术实施例一提供的一种氧化铟锡薄膜图案的制备的流程图；
[0029]图2是本专利技术实施例二提供的一种氧化铟锡薄膜图案的制备的流程图；
[0030]图3是本专利技术实施例三提供的一种氧化铟锡薄膜图案的制备的流程图；
[0031]图4是本专利技术实施例四提供的一种氧化铟锡薄膜图案的制备的流程图；
[0032]图5是本专利技术实施例五提供的一种氧化铟锡薄膜图案的制备的流程图；
[0033]图6是本专利技术实施例五提供的将氧化铟锡薄膜图案放置在烘箱中进行退火处理后再进行刻蚀得到的去胶前的氧化铟锡薄膜图案示意图；
[0034]图7是本专利技术实施例五提供的将氧化铟锡薄膜图案放置在烘箱中进行退火处理后再进行刻蚀得到的去胶后的氧化铟锡薄膜图案的部分放大图的示意图；
[0035]图8是本专利技术实施例五提供的将氧化铟锡薄膜图案放置在微波处理装置中进行退火处理后再进行刻蚀得到的氧化铟锡薄膜图案示意图；
[0036]图9是本专利技术实施例五提供的将氧化铟锡薄膜图案放置在激光发射装置中进行退火处理后再进行刻蚀得到的氧化铟锡薄膜图案示意图；
[0037]图10是现有技术中在刻蚀后进行退火处理得到的去胶前的氧化铟锡薄膜图案示意图；
[0038]图11是现有技术中在刻蚀后进行退火处理得到的去胶后的氧化铟锡薄膜图案的部分放大图的示意图。
具体实施方式
[0039]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描
述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0040]实施例一
[0041]图1为本专利技术实施例一提供的一种氧化铟锡薄膜图案的制备的流程图，本实施例可适用于氧化铟锡薄膜图案的制备的情况，参见图1，氧化铟锡薄膜图案的制备方法包括：
[0042]S110、提供基板。
[0043]具体的，基板具有支撑和固定的作用，基板可以是硬质基板，例如普通碱玻璃、无碱玻璃、石英玻璃或硅基板等，也可以是柔性基板，例如聚酰亚胺(Polyimide，PI)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板、聚醚砜树脂(PES)基板、聚碳酸酯(PC)基板或超薄玻璃等，具体的基板可以根据实际情况选择，例如可以根据基板的可靠性和需要制作的膜层进行选择，这里并不进行限定。
[0044]S120、在基板的表面形成氧化铟锡薄膜。
[0045]具体的，在基板的表面形成氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜，可以是直接在基板的表面形成氧化铟锡薄膜，也可以是在基板上先形成隔离层、金属导线层或介质层等，再形成氧化铟锡薄膜，隔离层可以有效隔离基板离子或基团的迁移，也可以有效改善薄膜和基板的粘附性、增加基板透过率等。氧化铟锡薄膜具有优良的导电性和可见光透射率，还具有高的机械硬度和良好的化学稳定性，可以提高显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板的表面形成氧化铟锡薄膜；对所述氧化铟锡薄膜进行均匀化处理；对所述氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀。2.根据权利要求1所述的氧化铟锡薄膜图案的制备方法，其特征在于，对所述氧化铟锡薄膜进行均匀化处理包括：对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理。3.根据权利要求2所述的氧化铟锡薄膜图案的制备方法，其特征在于，对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理之前还包括：对所述氧化铟锡薄膜进行平坦化处理。4.根据权利要求2所述的氧化铟锡薄膜图案的制备方法，其特征在于，对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理包括：通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理。5.根据权利要求4所述的氧化铟锡薄膜图案的制备方法，其特征在于，通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理包括：在预设退火温度下通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理，其中，所述预设退火温度大于或等于150摄氏度，且小于或等于350摄氏度。6.根据权利要求5所述的氧化铟锡薄膜图案的制备方法，其特征在于，在预设退火温度下通过退火工艺对所述氧化铟锡薄膜进行晶化处理包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭俊彪，朱宇博，徐华，徐苗，李民，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：