一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片，包括N型硅片，N型硅片有正面N

【技术实现步骤摘要】
一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片。
技术介绍
半导体放电管是一种通信系统中防止雷击浪涌冲击的半导体保护器件。传统的单向半导体保护器件制作方法以N型硅基底材料，芯片结构自上而下为NPNP的四层结构，该结构有一定过压保护功能，但是抑制强浪涌冲击能力弱，保护过程中容易失效，保护效果差。因此，需要技术一种新的技术方案来解决上述问题。
技术实现思路
为解决上述缺陷，本技术的目的是在于提供一种进一步提高器件的浪涌性能，增强器件电流泄放能力的单向浪涌增强型半导体放电管芯片。为实现上述目的，本技术通过以下技术方案实现：一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片，包括N型硅片，所述N型硅片有正面N+区，所述N型硅片正面有正面P-BASE区，所述正面P-BASE区内光刻有N+区，所述N型硅片背面有背面P-BASE区和背面P+深结区,所述背面P+深结区位于背面P-BASE区的上方，所述N型硅片的顶部和底部的四周设有上下对称的环状钝化沟槽，所述沟槽内设有玻璃钝化层，所述N型硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片，包括N型硅片，其特征在于：所述N型硅片有正面N

【技术特征摘要】
1.一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片，包括N型硅片，其特征在于：所述N型硅片有正面N+区，所述N型硅片正面有正面P-BASE区，所述正面P-BASE区内光刻有N+区，所述N型硅片背面有背面P-BASE区和背面P+深结区,所述背面P+深结区位于背面P-BASE区的上方，所述N型硅片的顶部和底部的四周设有上下对称的环状钝化沟槽，所述沟槽内设有玻璃钝化层，所述N型硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯亚威，王凯健，张鹏，刘志雄，
申请(专利权)人：江苏吉莱微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32