【技术实现步骤摘要】
基于高电压供应的低电压偏压产生器分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2019年12月13日、申请号为201911284183.3、专利技术名称为“基于高电压供应的低电压偏压产生器”的专利技术专利申请案。
本申请案涉及用于提供偏压的设备和方法。
技术介绍
存储器装置通常在源栅内使用高电压(HV)装置以连接NAND串中的位线和源极线，从而允许在NAND串(柱或阵列)上执行操作。举例来说，源栅可连接位线和源极线以擦除NAND串。一些存储器装置需要相对高电压进行特定存储器操作。举例来说，闪存存储器装置可需要大于12伏特(例如，高达30伏特或更大)的电压进行特定存储器操作，如存储器单元的编程或擦除。例如擦除操作的一些操作需要高电压应用于源极线和位线以向所述选择的NAND串加偏压。在擦除操作中，栅极引发的漏极泄漏可用以通过量子隧穿使NAND单元的电荷耗减，从而致使单元被擦除。为处置高电压，可使用HV装置。低电压(LV)和高电压装置两者(例如，晶体管、其它半导体组件等)通常包含一或多个介电层，例...
【技术保护点】
1.一种系统，其包括：/n用于从高电压(HV)线产生经调节HV且在HV经调节线上提供所述经调节HV的装置；以及/n用于从所述HV线产生低电压(LV)差、在LV线上提供所述LV差及将用于产生所述LV差的电流引导至所述HV经调节线的装置。/n
【技术特征摘要】
20181217 US 16/221,9871.一种系统，其包括：
用于从高电压(HV)线产生经调节HV且在HV经调节线上提供所述经调节HV的装置；以及
用于从所述HV线产生低电压(LV)差、在LV线上提供所述LV差及将用于产生所述LV差的电流引导至所述HV经调节线的装置。
2.根据权利要求1所述的系统，其中用于从所述HV线产生所述经调节HV且在所述HV经调节线上提供所述经调节HV的装置包括HV电路，所述HV电路经配置以从所述HV线产生所述经调节HV并在所述HV经调节线上提供所述经调节HV，以及
其中用于从所述HV线产生所述LV差、在所述LV线上提供所述LV差及将用于产生所述LV差的电流引导至所述HV经调节线的装置包括LV电路，所述LV电路经配置以从所述HV线产生所述LV差、在所述LV线上提供所述LV差及将用于产生所述LV差的电流引导至所述HV经调节线。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述HV电路包括主二极管和第一电流镜，其中所述主二极管耦合于所述HV线，且其中所述HV电路经配置以使用来自所述HV线的电流产生所述经调节HV，以及
其中所述LV电路包括耦合于所述HV线和所述HV经调节线之间的第二电流镜，且其中所述LV电路经配置以使用来自所述HV线的电流产生所述LV差。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述HV电路包括位于所述主二极管和地之间的阻抗，其中通过所述主二极管的电流与通过所述阻抗的电流和通过所述HV经调节线的电流成比例，且其中所述通过所述主二极管的电流的增加增加所述HV经调节线与所述LV线之间的电压差。
5.根据权利要求3所述的系统，其中所述LV电流经配置以从用于产生所述LV差的所述HV线将电流引导至连接于所述HV经调节线的负载而非使该电流废弃到地。
6.根据权利要求3所述的系统，其中所述主二极管包含第一和第二端子，所述第一端子耦合于所述HV线且所述第二端子耦合于HV经调节线，其中所述主二极管经配置以在所述HV经调节线处提供所述经调节HV，其中所述经调节HV的电压低于所述HV线的电压，以及
其中所述第一电流镜包含栅极和第一及第二端子，所述栅极耦合于所述主二极管的所述第一端子且所述第二端子耦合于所述HV经调节线。
7.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二电流镜包括第一、第二和第三端子，所述第一端子耦合于所述HV线，所述第二端子耦合于所述第一电流镜的所述第一端子，且所述第三端子耦合于所述LV线。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述第二电流镜包括LV设备，所述LV设备具有比所述经调节HV线的电压低的阈值电压。
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·皮卡尔迪，郭晓江，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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