电压参考电路以及提供参考电压的方法技术

本公开提供电压参考电路以及提供参考电压的方法。电压参考电路包括一晶体管、一翻转栅极晶体管、一第一电流镜单元、一第二电流镜单元与一输出节点。翻转栅极晶体管的栅极与漏极是耦接于晶体管的栅极与漏极。第一电流镜单元配置以相应一偏压电流而提供一第一电流至翻转栅极晶体管并提供一镜射电流。第二电流镜单元配置以相应于镜射电流而从晶体管汲取出一第二电流。输出节点耦接于晶体管的源极以及第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。

【技术实现步骤摘要】
电压参考电路以及提供参考电压的方法
本公开实施例涉及参考电压，且特别是涉及具有零温度系数的参考电压。
技术介绍
电压参考电路是用于提供参考电压信号至一或多个电路。在操作期间，电路可使用参考电压作为比较手段。例如，在稳压器的应用中，可将反馈信号与参考电压进行比较，以产生对应于参考电压的比例值的已调整的输出电压。在一些方法中，电压参考电路是借由使用双极性接面晶体管(BJT)形成能隙(bandgap)参考来提供参考电压。在PNP型BJT中，基底是作为BJT的集极，从而使BJT对基底中的多数载子噪声(carriernoise)感到敏感。在NPN型BJT中，集极是形成在P型基底中的N型井区，且易于从基底中受到少数载子噪声所影响。NPN型BJT和PNP型BJT都无法完全隔离于基底噪声。在一些方法中，互补式金属氧化物半导体(CMOS)元件可用于形成电压参考电路。在某些情况下，以三重井(triplewell)流程制造CMOS元件，使得每一CMOS元件是反向接面隔离(reverse-junction-isolated)于主基底。在另一些方法中，C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压参考电路，包括：/n一晶体管；/n一翻转栅极晶体管，其中上述翻转栅极晶体管的一栅极与一漏极是耦接于上述晶体管的一栅极与一漏极；/n一第一电流镜单元，配置以相应一偏压电流而提供一第一电流至上述翻转栅极晶体管以及提供一镜射电流；/n一第二电流镜单元，配置以相应于上述镜射电流而从上述晶体管汲取出一第二电流；以及/n一输出节点，耦接于上述晶体管的一源极以及上述第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。/n

【技术特征摘要】
20200217 US 62/977,437;20210107 US 17/143,3691.一种电压参考电路，包括：
一晶体管；
一翻转栅极晶体管，其中上述翻转栅极晶体管的一栅极与一漏极是耦接于上述晶体管的一栅极与一漏极；
一第一电流镜单元，配置以相应一偏压电流而提供一第一电流至上述翻转栅极晶体管以及提供一镜射电流；
一第二电流镜单元，配置以相应于上述镜射电流而从上述晶体管汲取出一第二电流；以及
一输出节点，耦接于上述晶体管的一源极以及上述第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。


2.如权利要求1所述的电压参考电路，其中，上述翻转栅极晶体管的尺寸是小于上述晶体管的尺寸。


3.如权利要求1所述的电压参考电路，其中，上述第一电流镜单元包括：
一第一P型晶体管，耦接于一电源，其中上述第一P型晶体管的一栅极以及一漏极是耦接于一启动与偏压单元；
一第二P型晶体管，耦接于上述电源以及上述第二电流镜单元之间，具有一栅极耦接于上述第一P型晶体管的上述栅极以及上述漏极；
一第三P型晶体管，耦接于上述电源以及上述翻转栅极晶体管的上述漏极之间，具有一栅极耦接于上述第一P型晶体管的上述栅极；以及
一第四P型晶体管，耦接于上述电源以及上述晶体管的上述漏极，具有一栅极耦接于上述第一P型晶体管的上述栅极，
其中上述偏压电流是流经上述第一P型晶体管的电流，而上述镜射电流是流经上述第二P型晶体管的电流。


4.如权利要求1所述的电压参考电路，其中，上述第二电流镜单元包括：
一第三N型晶体管，耦接于一接地端以及上述第一电流镜单元之间；以及
一第四N型晶体管，耦接于上述接地端以及上述输出节点之间，具有一栅极耦接于上述第三N型晶体管的一栅极以及一漏极，
其中上述镜射电流是流经上述第三N型晶体管的电流。


5.一种电压参考电路，包括：
一第一二极管连接方式的晶体管，安排在一第一电流路径；
一第二二极管连接方式的晶体管，安排在一第二电流路径，其中上述第一二极管连接方式的晶体管与上述第二二极管连接方式的晶体管的栅极是耦接在一起；以及
一输出节点，耦接于上述第二二极管连接方式的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王彦婷，艾伦·罗斯，艾力克·苏宁，亚历山大·卡尔尼斯基，郭良泰，郑新立，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71