【技术实现步骤摘要】
一种芯片针孔缺陷的检测方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种芯片针孔缺陷的检测方法。
技术介绍
[0002]在芯片制备过程中，如沉积、抛光、光刻等都会发生温度变化，芯片上的金属凸块的侧壁和芯片表面的钝化层会相互挤压，使得内部应力发生变化，从而钝化层会形成针孔、裂纹或脱落等缺陷，引起芯片内部的形变以及互联导线短路或开路，造成器件失效，在半导体晶圆制造中，必须准确检测钝化层(Passivation)是否存在针孔缺陷，以确保晶圆的良率。
[0003]现有的针孔缺陷的检测方法无法便捷的对没有从钝化层穿透到底下的金属层的针孔缺陷检测出的问题成为业内亟待解决的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种芯片针孔缺陷的检测方法，以解决现有的针孔缺陷的检测方法无法便捷的对没有从钝化层穿透到底下的金属层的针孔缺陷检测出的问题。
[0005]为实现上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]本专利技术实施例提供了一种芯片针孔缺陷的检测方法，包括：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，包括：通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测；其中，所述芯片包括金属层和钝化层；若无腐蚀变色异常形貌，则通过将被检测芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中进行检测。2.根据权利要求1所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测，包括：将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出；对所述芯片的所述钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定。3.根据权利要求1所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述通过将被检测芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中进行检测，包括：将被检测的芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中，经第一时间段后取出；将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出；其中，所述第二时间段大于所述第一时间段；对所述芯片的所述钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定。4.根据权利要求2或3所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述对所述芯片的所述钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定，包括：通过高倍显微镜对被检测芯片的钝化层进行放大，追踪所述芯片的腐蚀变色异常形貌。5.根据权利要求2或...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯旎璐，汪洋，
申请(专利权)人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。