一种中心频率自校准的低功耗带通放大电路制造技术

本发明专利技术涉及一种中心频率自校准的低功耗带通放大电路，包括依次电连接的前向放大模块、输出反馈模块及校准模块；所述前向放大模块呈低通特性，用于对输入信号进行放大；所述输出反馈模块呈高通特性，用于对低频信号进行抑制；所述前向放大模块与所述输出反馈模块构成带通放大电路，所述校准模块用于对所述带通放大电路工作时的中心频率进行校正。本发明专利技术中前向放大电路和输出反馈电路的输入级独立，输出级共享，电路结构简单，功耗低；电阻和电容的串联网络作为放大器的输出负载，并将电容上的信号反馈到输入级，形成高通网络；RC校准电路可以保证带通放大电路的中心频率不随工艺偏差而偏移，满足了实际应用需求。满足了实际应用需求。满足了实际应用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种中心频率自校准的低功耗带通放大电路


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，特别是涉及一种中心频率自校准的低功耗带通放大电路。

技术介绍

[0002]在多数通信系统或信号处理系统中，需要对特定频率的信号进行放大，并且要求极低的功耗。为了达到最佳的通信效果和信号处理效果，放大器只放大有用信号，而对直流失调、低频噪声和高频噪声则进行有效抑制。即放大器整体需要呈现带通特性，而且中心频率需要能够稳定控制，不随工艺偏差而产生大的偏移。
[0003]现有的带通滤波器或放大器一般基于运算放大器。通过低通滤波和高通滤波的组合构成带通滤波结构。其增益、带宽和中心频率由外部的R、C参数决定。
[0004]然而，由于现有的带通滤波器或放大器一般基于运算放大器，因此电路结构相对比较复杂，功耗也比较高，且R、C参数的偏移会给增益、带宽和中心频率带来偏差。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种结构简单、功耗低、且中心频率具有很高的稳定性的中心频率自校准的低功耗带通放大电路。
[0006]一种中心频率自校准的低功耗带通放大电路，包括依次电连接的前向放大模块、输出反馈模块及校准模块；所述前向放大模块呈低通特性，用于对输入信号进行放大；所述输出反馈模块呈高通特性，用于对低频信号进行抑制；所述前向放大模块与所述输出反馈模块构成带通放大电路，所述校准模块用于对所述带通放大电路工作时的中心频率进行校正。
[0007]另外，根据本专利技术提供的中心频率自校准的低功耗带通放大电路，还可以具有如下附加的技术特征：
[0008]进一步地，所述电路还包括一供电模块，所述供电模块包括分别与电源输出端电连接的第一电流镜及第二电流镜。
[0009]进一步地，所述第一电流镜包括通过栅极连接的第一MOS管、第二MOS管及第三MOS管；所述第二电流镜包括通过栅极连接的第八MOS管及第九MOS管；其中，所述第一MOS管、第二MOS管及第三MOS管均为NMOS管，所述第八MOS管及第九MOS管均为PMOS管。
[0010]进一步地，所述前向放大模块包括第四MOS管及第五MOS管；所述第四MOS管的栅极与差分输入的正极电连接，所述第五MOS管的栅极与差分输入的负极电连接，所述第四MOS管的源极与所述第五MOS管的源极电连接，所述第四MOS管的漏极与第八MOS管的漏极电连接，所述第五MOS管的漏极与第九MOS管的漏极电连接。
[0011]进一步地，所述输出反馈模块包括第六MOS管及第七MOS管；所述第六MOS管的栅极与参考电压输入端电连接，所述第七MOS管的栅极与差分输出的负极电连接，所述第六MOS管及第七MOS管的源极均与所述第三MOS管的漏极电连接，所述第六MOS管的漏极与所述第
八MOS管的漏极电连接，所述第七MOS管的漏极与所述第九MOS管的漏极电连接。
[0012]进一步地，所述电路还包括与差分输出正极电连接的输出负载，所述输出负载包括相串联的第一电阻及第一电容。
[0013]进一步地，差分输入至差分输出的增益为：
[0014][0015]其中，gm1为第四MOS管/第五MOS管的跨导，gm2为第六MOS管/第七MOS管的跨导，s＝j2πf，Cm为第一电容，R1为第一电阻。
[0016]进一步地，所述校准模块包括与逐次逼近逻辑控制单元电连接的比较器及RC校准单元，以及用于向所述校准模块供电的恒流源。
[0017]进一步地，所述RC校准单元包括第二电阻及与所述第二电阻并联的第二电容，所述第二电容由二进制电容阵列构成。
[0018]进一步地，所述校准模块在第一时刻时，恒流源对第二电容进行充电，比较器的斜坡电压从零开始线性增加；所述校准模块在第二时刻时，所述比较器的斜坡电压上升至基准电压，且校准时通过二进制搜索法进行校准。
[0019]根据本专利技术提出的中心频率自校准的低功耗带通放大电路，包括依次电连接的前向放大模块、输出反馈模块及校准模块；所述前向放大模块呈低通特性，用于对输入信号进行放大；所述输出反馈模块呈高通特性，用于对低频信号进行抑制；所述前向放大模块与所述输出反馈模块构成带通放大电路，所述校准模块用于对所述带通放大电路工作时的中心频率进行校正。本专利技术含有前向放大电路和输出反馈电路；前向放大电路和输出反馈电路的输入级独立，输出级共享，电路结构简单，功耗低；电阻和电容的串联网络作为放大器的输出负载，并将电容上的信号反馈到输入级，形成高通网络；RC校准电路可以保证带通放大电路的中心频率不随工艺偏差而偏移，满足了实际应用需求。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的中心频率自校准的低功耗带通放大电路的结构框图；
[0021]图2为本专利技术实施例提供的中心频率自校准的低功耗带通放大电路的电路图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供的中心频率自校准的低功耗带通放大电路的幅频特图；
[0023]图4为本专利技术实施例提供的中心频率自校准的低功耗带通放大电路中校准模块的电路图；
[0024]图5为图4中二进制的电容阵列的电路结构图；
[0025]图6为本专利技术实施例提供的中心频率自校准的低功耗带通放大电路中校准模块工作过程示意图。
[0026]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。附图中给出了本专利技术的若干实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本
专利技术的公开内容更加透彻全面。
[0028]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”以及类似的表述只是为了说明的目的，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0029]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]如图1至图3所示，基于上述问题，本专利技术实施例公开了一种中心频率自校准的低功耗带通放大电路，包括依次电连接的前向放大模块10、输出反馈模块20及校准模块30。
[0031]具体的，所述前向放大模块30呈低通特性，用于对输入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中心频率自校准的低功耗带通放大电路，其特征在于，包括依次电连接的前向放大模块、输出反馈模块及校准模块；所述前向放大模块呈低通特性，用于对输入信号进行放大；所述输出反馈模块呈高通特性，用于对低频信号进行抑制；所述前向放大模块与所述输出反馈模块构成带通放大电路，所述校准模块用于对所述带通放大电路工作时的中心频率进行校正。2.根据权利要求1所述的中心频率自校准的低功耗带通放大电路，其特征在于，所述电路还包括一供电模块，所述供电模块包括分别与电源输出端电连接的第一电流镜及第二电流镜。3.根据权利要求2所述的中心频率自校准的低功耗带通放大电路，其特征在于，所述第一电流镜包括通过栅极连接的第一MOS管、第二MOS管及第三MOS管；所述第二电流镜包括通过栅极连接的第八MOS管及第九MOS管；其中，所述第一MOS管、第二MOS管及第三MOS管均为NMOS管，所述第八MOS管及第九MOS管均为PMOS管。4.根据权利要求3所述的中心频率自校准的低功耗带通放大电路，其特征在于，所述前向放大模块包括第四MOS管及第五MOS管；所述第四MOS管的栅极与差分输入的正极电连接，所述第五MOS管的栅极与差分输入的负极电连接，所述第四MOS管的源极与所述第五MOS管的源极电连接，所述第四MOS管的漏极与第八MOS管的漏极电连接，所述第五MOS管的漏极与第九MOS管的漏极电连接。5.根据权利要求4所述的中心频率自校准的低功耗带通放大电路，其特征在于，所述输出反馈模块包括第六MOS管及第七MOS管；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锐，帅柏林，李建军，莫军，王亚波，
申请(专利权)人：广芯微电子广州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：