一种负热膨胀系数微波陶瓷及其3D打印介质谐振器天线制造技术

本发明专利技术公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷调控剂及其3D打印透镜加载介质谐振器天线。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是Ba

【技术实现步骤摘要】
一种负热膨胀系数微波陶瓷及其3D打印介质谐振器天线


[0001]本专利技术属于微波介质陶瓷
，更具体地，涉及一种负热膨胀系数微波介质陶瓷及其3D打印透镜加载介质谐振器天线。

技术介绍

[0002]微波介质陶瓷是指应用于微波频段(300MHz～30GHz)电路中作为介质材料的陶瓷材料。随着通信设备运行频率的不断提高，信号延迟现象会变得更加明显，系统损耗和发热量也会随之增大，系统稳定性会逐渐变差。而低介电常数能减小材料与电极之间的交互耦合损耗，并提高电信号的传输速率。
[0003]随着微波通信、卫星广播和智能传输系统的发展，对介质谐振器天线(DRA)的需求越来越大。为了减少天线工作中的交叉耦合，提高使用精度，DRA对于其加载的微波介质陶瓷提出了低介电常数、高Q
×
f值以及近零谐振频率温度系数的性能指标要求。在近期的研究工作中，为了提高DRA的增益、工作带宽等性能指标，往往需要引入多种不同的微波介质陶瓷材料亦或是引入特殊结构，而不同材料的热膨胀系数通常不一样。对于较精密的元件，不同材料之间的热膨胀不同可能存在不匹配问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波介质陶瓷，其特征在于，包括主晶相，所述主晶相的化学表达式为Ba
(1
‑
x)*(1
‑
y)
Sr
(1
‑
x)*y
Zn2‑
0.2x
Si2‑
x
O7‑
3.2x
，其中0≤x≤1，0≤y≤0.8。2.如权利要求1所述的微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷具有低介电常数和可调控的热膨胀系数，其介电常数小于8.6，热膨胀系数的调控范围为
‑
10～10.1ppm/℃。3.一种微波介质陶瓷调控剂，其特征在于，包括权利要求1或2所述的微波介质陶瓷。4.如权利要求3所述的微波介质陶瓷调控剂，其特征在于，所述调控剂的化学表达式为Ba
(1
‑
x)*(1
‑
y)
Sr
(1
‑
x)*y
...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷文，邹正雨，楼熠辉，吕文中，王晓川，汪小红，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：