【技术实现步骤摘要】
一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管
[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管。
技术介绍
[0002]在鳍式场效应晶体管(Fin Field
‑
Effect Transistor，FINFET)的栅极(Gate，G)的自对准双图案(Self
‑
Aligned Double Patterning，SADP)形成工艺中，为了保证器件的多样性，需要对同时形成的栅极的一部分做关键尺寸(Critical Dimension，CD)的缩小。
[0003]相关技术中对栅极的关键尺寸进行缩减时，在湿法清洗过程中，会使用浓度较高的浓硫酸等清洗液，然而，浓度较高的浓硫酸会对SADP工艺中作为栅极图案的隔离侧墙产生氧化和腐蚀，使得隔离侧墙的边缘粗糙度(Line Edge Roughness，LER)变大，进而影响栅极形成过程的良率。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种栅极特征尺寸的控制方法，其特征在于，应用于自对准双图案工艺；所述方法包括：在栅极介质层上，依次形成至少两个隔离侧墙、包裹每一所述隔离侧墙的牺牲层、和位于所述牺牲层表面的低温氧化物层，其中，所述隔离侧墙用于定义栅极的特征尺寸；对所述低温氧化物层和所述牺牲层，依次进行刻蚀处理，以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙；对所述目标隔离侧墙进行减薄处理，得到减薄隔离侧墙；通过所述减薄隔离侧墙刻蚀所述栅极介质层，形成所述栅极。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述对所述低温氧化物层和所述牺牲层，依次进行刻蚀处理之前，所述方法还包括：依次形成位于所述低温氧化物层之上的抗反射层和光刻胶层；所述对所述低温氧化物层和所述牺牲层，依次进行刻蚀处理，以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙，包括：通过将设置于所述光刻胶层上的预设图案，依次转移至所述抗反射层、所述低温氧化物层和所述牺牲层中，以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述抗反射层包括介电抗反射涂层，所述介电抗反射涂层包括任意一种含氮化合物。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述减薄处理过程中，所述低温氧化物层同时被去除；所述方法还包括：去除所述牺牲层，以暴露出所述隔离侧墙中的未经过所述减薄处理的非目标隔离侧墙；通过所述非目标隔离侧墙刻蚀所述栅极介质层，形成所述栅极。5.根据权利要求4述的方法，其特征在于，所述牺牲层包括旋涂碳层；所述去除所述牺牲层，包括：在第一预设工艺参数下，对所述旋涂碳层进行灰化处理，得到含碳聚合物；采用预设浓度的腐蚀溶液，去除所述旋涂碳层，其中，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜丙杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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