多相耦合电感、多相耦合电感阵列及两相反耦合电感制造技术

本发明专利技术提供一种多相耦合电感、多相耦合电感阵列及两相反耦合电感。多相耦合电感包括磁芯以及多个绕组。磁芯包括有两个第一横向柱、与第一横向柱连接的至少一个纵向边柱、至少两个第一纵向中柱和至少一个第二纵向中柱，第一纵向中柱的第一端与两个第一横向柱中的一者连接，第二纵向中柱的第一端与两个第一横向柱中的另一者连接，第一纵向中柱的第二端与第二纵向中柱的第二端连接。多个绕组包括至少两个分别绕设于第一纵向中柱上的第一绕组和至少一个分别绕设于第二纵向中柱上的第二绕组。流经任一绕组的电流产生的直流磁通在其他绕组对应的纵向中柱上的磁通方向，是与流经该其他绕组的电流产生的直流磁通在对应的纵向中柱上的磁通方向相反。上的磁通方向相反。上的磁通方向相反。

【技术实现步骤摘要】
多相耦合电感、多相耦合电感阵列及两相反耦合电感


[0001]本专利技术涉及一种耦合电感，特别涉及一种多相耦合电感及多相耦合电感阵列。

技术介绍

[0002]目前，云(数据中心)和端(手机、iPad等)的市场规模越来越大，并且还在高速增长中。但在增长的同时，也面临着多方面的挑战，例如随着各种智能IC的功能越来越多，功耗越来越大，主板上的器件也越来越多，且要求功率模块具有更高的功率密度，或单个功率模块具有更大的电流输出能力。此外，随着智能IC的计算能力的提升，对供电系统的动态性能的要求也越来越高。多相并联供电是实现大电流供电的有效解决方案。当既要追求高效率，又要追求高动态的情况下，采用反耦合的方式是一种很好的解决方案。其中的反耦合电感是实现反耦合的关键之一。
[0003]电感在集成电路中是一种常见的电子元件，其能够把电能转化为磁能储存起来。耦合电感可以实现动态感量与静态感量的分离，同一个电感可以实现在动态时更小的感量，提升响应速度；而在静态时增大感量，实现更小的纹波电流，兼顾动态响应能力高和静态纹波小的特点。另外还可以通过磁集成和磁通反向的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多相耦合电感，其特征在于，包括：磁芯，所述磁芯包括两个第一横向柱、至少一个纵向边柱以及多个纵向中柱，其中，所述多个纵向中柱包括至少两个第一纵向中柱和至少一个第二纵向中柱，所述纵向边柱连接于所述两个第一横向柱，所述第一纵向中柱的第一端与所述两个第一横向柱中的一者连接，所述第二纵向中柱的第一端与所述两个第一横向柱中的另一者连接，所述第一纵向中柱的第二端与所述第二纵向中柱的第二端连接；以及多个绕组，所述多个绕组包括至少两个第一绕组和至少一个第二绕组，所述至少两个第一绕组分别对应绕设于所述第一纵向中柱，所述至少一个第二绕组分别对应绕设于所述第二纵向中柱；其中，流经任一所述绕组的电流产生的直流磁通在其他所述绕组对应的所述纵向中柱上的磁通方向，是与流经该其他所述绕组的电流产生的直流磁通在对应的所述纵向中柱上的磁通方向相反。2.根据权利要求1所述的多相耦合电感，其特征在于，所述纵向边柱的数量为两个，且是对称地设置于所述两个第一横向柱的左右两端。3.根据权利要求1所述的多相耦合电感，其特征在于，所述磁芯还包括第二横向柱，所述第二横向柱位于所述两个第一横向柱之间，所述第一纵向中柱的第二端通过所述第二横向柱连接于所述第二纵向中柱的第二端。4.根据权利要求3所述的多相耦合电感，其特征在于，在从所述第二横向柱经由所述第一纵向中柱至所述两个第一横向柱中的该者的第一磁路上设置有第一气隙；和/或，在从所述第二横向柱经由所述第二纵向中柱至所述两个第二横向柱中的该另一者的第二磁路上设置有第二气隙。5.根据权利要求3所述的多相耦合电感，其特征在于，所述磁芯还包括：第一解耦柱，连接于所述第二横向柱，且位于所述两个第一横向柱之间，在从所述第二横向柱经由所述第一解耦柱至所述两个第一横向柱的第三磁路上设置有第三气隙；和/或，第二解耦柱，连接于所述第二横向柱，且位于所述至少一个纵向边柱与所述第二横向柱之间，在从所述第二横向柱经由所述第二解耦柱至所述纵向边柱的第四磁路上设置有第四气隙。6.根据权利要求3所述的多相耦合电感，其特征在于，所述第一纵向中柱及所述第二纵向中柱的磁导率小于所述磁芯的其余部分中的至少一部分的磁导率。7.根据权利要求3所述的多相耦合电感，其特征在于，所述磁芯还包括解耦板，所述解耦板与所述两个第一横向柱竖向堆叠，所述竖向与横向和纵向均正交；其中，所述解耦板与所述两个第一横向柱之间设置有第五气隙；和/或，所述解耦板与所述至少一个纵向边柱之间设置有第六气隙；和/或，所述解耦板与所述第二横向柱之间设置有第七气隙。8.根据权利要求3所述的多相耦合电感，其特征在于，至少两个所述第一纵向中柱与至少一个所述第二纵向中柱是相对于所述第二横向柱呈交错地设置或呈对齐地设置。9.根据权利要求1所述的多相耦合电感，其特征在于，所述第一纵向中柱的第二端与所述第二纵向中柱的第二端通过侧面或端面直接接触。
10.根据权利要求1所述的多相耦合电感，其特征在于，所述纵向边柱的数量为一个，所述纵向边柱呈板状，所述纵向边柱与所述两个第一横向柱竖向堆叠。11.根据权利要求10所述的多相耦合电感，其特征在于，所述两个第一横向柱中的该者堆叠于所述纵向边柱与所述第一纵向中柱之间；所述两个第一横向柱中的该另一者堆叠于所述纵向边柱与所述第二纵向中柱之间。12.根据权利要求1所述的多相耦合电感，其特征在于，所述第一绕组的两端的端子分别沿竖向自所述磁芯的上表面及下表面引出；和/或，所述第二绕组的两端的端子分别沿竖向自所述磁芯的上表面及下表面引出。13.根据权利要求1所述的多相耦合电感，其特征在于，所述多个绕组中，至少一个所述绕组的端子沿竖向自所述磁芯的上表面引出，至少一个所述绕组的端子沿竖向自所述磁芯的下表面引出。14.一种多相耦合电感阵列，其特征在于，包括：磁芯，所述磁芯包括：N个第一横向柱；M个第二横向柱，所述M个第二横向柱与所述N个第一横向柱平行设置且彼此交错，其中，M≤N≤(M+1)，M≥2，且N和M均为正整数；至少一个纵向边柱，连接所述N个第一横向柱的第一端；第一连接磁柱，连接所述M个第二横向柱的第一端；多个纵向中柱，所述多个纵向中柱包括至少两个第一纵向中柱和至少一个第二纵向中柱，其中，所述第一纵向中柱是设置在第i个所述第一横向柱与第i个所述第二横向柱之间，i＝1、
……
、M，所述第二纵向中柱是设置在第i个所述第二横向柱与第(i+1)个所述第一横向柱之间；多个绕组，所述多个绕组包括至少两个第一绕组和至少一个第二绕组，所述至少两个第一绕组分别对应绕设于所述第一纵向中柱，所述至少一个第二绕组分别对应绕设于所述第二纵向中柱；其中，流经任一所述绕组的电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：季鹏凯，周锦平，张明准，
申请(专利权)人：台达电子企业管理上海有限公司，
类型：发明
国别省市：