【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取存储器及其制造方法
本专利技术有关于一种存储器装置，且特别是有关于一种用于提高读出电流乱度的电阻式随机存取存储器及其制造方法。
技术介绍
在现有技术的电阻式随机存取存储器(RRAM)中，在一个阵列区中包括多个存储器单元，且各存储器单元包括图案化的底电极层、电阻转换层与顶电极层。当对存储器单元施加形成电压或写入电压时，氧离子会受到电压驱动而离开电阻转换层。留在电阻转换层中的等效正价氧空缺形成导电路径(或导电细丝)，进而使电阻转换层由高电阻态转换为低电阻态。当施加抹除电压时，氧离子回到电阻转换层并与等效正价氧空缺结合。因此，上述导电路径消失，而使电阻转换层由低电阻态转换为高电阻态。一般而言，高电阻态对应到逻辑状态“0”，而低电阻态对应到逻辑状态“1”。在某些应用领域(例如，人工智能、加密等)中，自这些存储器单元所读出的电流值(以下简称读出电流)最好是难以预测的。亦即，读出电流的乱度(randomness)越高越好。然而，现有的电阻式随机存取存储器要求这些存储器单元具有高度的结构均一性，使得自这些存储器单元所...
【技术保护点】
1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：/n一基板；/n一层间介电层，位于所述基板上；/n一第一底部接触结构及一第二底部接触结构，位于所述层间介电层中，其中所述第一底部接触结构的一顶表面、所述第二底部接触结构的一顶表面及所述层间介电层的一顶表面共平面；/n一第一存储器单元，位于所述第一底部接触结构上，其中所述第一存储器单元包括一第一底电极层，且所述第一底电极层包括一第一导电区域，其中所述第一导电区域垂直投影于所述第一底部接触结构的图样为一第一投影图样；以及/n一第二存储器单元，位于所述第二底部接触结构上，其中所述第二存储器单元包括一第二底电极层，且所述第二底电极层包...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：
一基板；
一层间介电层，位于所述基板上；
一第一底部接触结构及一第二底部接触结构，位于所述层间介电层中，其中所述第一底部接触结构的一顶表面、所述第二底部接触结构的一顶表面及所述层间介电层的一顶表面共平面；
一第一存储器单元，位于所述第一底部接触结构上，其中所述第一存储器单元包括一第一底电极层，且所述第一底电极层包括一第一导电区域，其中所述第一导电区域垂直投影于所述第一底部接触结构的图样为一第一投影图样；以及
一第二存储器单元，位于所述第二底部接触结构上，其中所述第二存储器单元包括一第二底电极层，且所述第二底电极层包括一第二导电区域，其中所述第二导电区域垂直投影于所述第二底部接触结构的图样为一第二投影图样，且其中所述第二投影图样不同于所述第一投影图样。
2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第一底电极层还包括一第一绝缘区域，且所述第一底部接触结构直接接触所述第一绝缘区域及所述第一导电区域。
3.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第一绝缘区域的一顶表面与所述第一导电区域的一顶表面共平面。
4.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第一导电区域包括多个彼此分离的导电部分，其中所述第一绝缘区域环绕所述多个导电部分。
5.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第一绝缘区域包括多个彼此分离的绝缘部分，其中所述第一导电区域环绕所述多个绝缘部分。
6.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第一绝缘区域包括多个绝缘部分，所述第一导电区域包括多个导电部分，且其中所述多个绝缘部分与所述多个导电部分交错排列。
7.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第一存储器单元还包括：
一氧离子扩散阻挡层，位于所述第一底电极层上；
一电阻转换层，位于所述氧离子扩散阻挡层上；以及
一顶电极层，位于所述电阻转换层上。
8.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第二底电极层还包括一第二绝缘区域，且所述第二底部接触结构直接接触所述第二绝缘区域及所述第二导电区域。
9.如权利要求8所述的电阻式随机存取存储器，还包括一导线，其特征在于，所述导线电性连接至所述第一底部接触结构与所述第二底部接触结构，其中所述第一存储器单元中的所述第一绝缘区域与所述第一导电区域具有一第一排列方式，所述第二存储器单元中的所述第二绝缘区域与所述第二导电区域具有一第二排列方式，且其中所述第一排列方式不同于所述第二排列方式。
技术研发人员：林孟弘，吴伯伦，许博砚，童盈辅，陈汉修，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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