一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法技术

本发明专利技术的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO

【技术实现步骤摘要】
一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法
本专利技术涉及电子材料
，具体涉及一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法。
技术介绍
人工智能(artificialintelligence，AI)和大数据分析的蓬勃发展正在不断的推动数据处理和存储方式的革命。面对存储速度和能耗等关键技术问题，科学家通过基于神经形态计算(in-memorycomputing)概念的新型计算系统来进行海量数据信息的并行检索、处理和存储。其中，忆阻器因其简单的双端结构，以及出色的存储性能(亚纳秒开关时间、皮焦耳多比特可编程性和高度集成结构)而受到越来越受到关注。通过“设置”(SET)和“复位”(RESET)操作，使得忆阻器具有两种或多种可切换电阻状态。其典型的电阻变化机制是基于局部缺陷浓度变化而形成或断裂具有相对高导电性的一个或多个导电细丝(conductivefilaments，CF)。其中忆阻器阻变层中的缺陷可能来自于阻变材料本身，例如，金属氧化物中的负离子空位形成的缺陷，或从活性金属电极经离子传输而通过绝缘介质而形成的缺陷。然而由于离子/原子迁移本身的随机性，使得三维本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种水平结构的忆阻器，其特征在于：包括双端水平电极、介电材料、基底；/n其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO

【技术特征摘要】
1.一种水平结构的忆阻器，其特征在于：包括双端水平电极、介电材料、基底；
其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO2的硅片(SiO2/Si)、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate，PEN)这些作为基底。


2.根据权利要求1所述的忆阻器均一性优化方法，其特征在于：电极的金属为金、银、铝、镁之一。


3.一种忆阻器均一性优化方法，其特征在于：包括以下步骤，
步骤一：清洗；
将SiO2/Si基片放入烧杯，加入几滴Decon清洗剂和设定量的超纯水，超声烧杯10-20min；取出烧杯重新加超纯水冲洗至无泡沫，再加设定量的超纯水超声5-10min，重复2-3次；
步骤二：烘干；
将清洗完的SiO2/Si基片用N2枪吹干，放入真空干燥箱在120℃下烘干30min；
步骤三：UVO亲水化处理；
将SiO2/Si基片放入UVO清洁器中处理20-40min；
步骤四：钙钛矿微米棒制备；
采用一步自组装法在疏水铟锡氧化物(ITO)镀膜玻璃上合成了卤化铅钙钛矿微米棒；
步骤五：EBL预制水平结构电极；
在SiO2/Si基片上以EBL技术设计Cr/Ag电极的图案；
步骤六：蒸镀；
在设计好电极的在SiO2/Si基片上蒸镀沉积2-10nm厚的Cr金属层和20-60nm厚度的Ag金属层，最终得到器件的水平金属电极层；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕，吕子玉，洪宾，吴鹏，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学合肥创新研究院北京航空航天大学合肥研究生院，
类型：发明
国别省市：安徽;34