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本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO...
该专利属于北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)授权不得商用。

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