一种三维存储器及散热管道的形成方法技术

本申请实施例提供一种三维存储器及散热管道的形成方法，其中，所述三维存储器包括：衬底；多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；至少一条散热管道，所述至少一条散热管道位于每一堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间，且每一条所述散热管道中填充有散热剂。

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器及散热管道的形成方法
本申请实施例涉及半导体
，涉及但不限于一种三维存储器及散热管道的形成方法。
技术介绍
三维存储器包括存储器阵列以及用于控制往返于存储器阵列的信号的外围器件。目前常用的三维存储器为三维相变存储器(ThreeDimensionalPhaseChangeMemory，3DPCM)，由于相变存储器是通过电加热的方式对相变材料进行热处理，通过相变材料的晶态或非晶态进行数据写入的，因此，存储器阵列内部会积聚大量的热量，导致环境温度升高，这将会影响相变存储器的数据保留或写入性能。因此，如何冷却存储器阵列并保持较低的环境温度是本领域的重要研究方向。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种三维存储器及散热管道的形成方法。本申请的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种三维存储器，包括：衬底；多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；r>至少一条散热管道本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；/n至少一条散热管道，所述至少一条散热管道位于每一所述堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间，且每一条所述散热管道中填充有散热剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
衬底；
多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；
至少一条散热管道，所述至少一条散热管道位于每一所述堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间，且每一条所述散热管道中填充有散热剂。


2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述散热剂包括水或导热油。


3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述散热管道的横截面形状包括以下任意一种：椭圆形、圆形或任意多边形；
所述散热管道的管道形状包括以下任意一种：直线型、L型、U型或蛇形。


4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，每相邻的两个所述存储块之间具有一个或多个所述散热管道，其中，多个所述散热管道均匀或非均匀地排布于两个所述存储块之间。


5.一种散热管道的形成方法，其特征在于，应用于三维存储器，所述方法包括：
在所述三维存储器的衬底上形成多个沿第一方向依次堆叠的堆栈结构，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；
在每一所述堆栈结构中，每相邻的两个所述存储块之间形成至少一个刻蚀孔；
在每一所述刻蚀孔中填充散热剂，对应形成位于每一所述堆栈结构中的散热管道。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面，或，所述刻蚀孔的延伸方向垂直于所述衬底所在的平面；
当所述刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面时，对应所述刻蚀孔所形成的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红心，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42