无铅无铜锡合金与用于球栅阵列封装的锡球制造技术

一种无铅无铜锡合金，包含3.0～5.0wt％的银、0.01～3.5wt％的铋、0.01～3.5wt％的锑、0.005～0.1wt％的镍、0.005～0.02wt％的锗及余量的锡。本发明专利技术的无铅无铜锡合金能制成用于球栅阵列封装的锡球，且由该锡球所形成的焊锡凸块能承受电子元件本身或环境出现温度变化时所带来的热应力，以及同时具有承受高机械冲击的能力。

【技术实现步骤摘要】
无铅无铜锡合金与用于球栅阵列封装的锡球
本专利技术是有关于一种锡合金与由该锡合金所制成的用于球栅阵列封装的锡球，特别是指一种无铅无铜锡合金与由该无铅无铜锡合金所制成的用于球栅阵列封装的锡球。
技术介绍
随着半导体元件的I/O数(input/output)的提高，封装技术由原本只能使用晶片周边进行封装的打线结合(wirebonding)演变成至今能使用晶片底部表面进行封装的球栅阵列(ballgridarray；简称BGA)封装，其技术是对半导体元件进行IC焊垫重新布局(I/Odistribution)，将焊垫分布在半导体元件底部从而提高I/O密度。球栅阵列封装的导通方式可分为金属凸块、导电胶及导电膜等，其中又以属于金属凸块技术的焊锡凸块(solderbump)为主。而球栅阵列封装又可分为非晶圆级封装及晶圆级封装。非晶圆级封装是指硅晶片透过打线或覆晶(flipchip)的方式焊接在有机基板后，在硅晶片及有机基板之间灌入底部填胶(underfill)，然后在有机基板的另一端焊接上锡球形成焊锡凸块，以形成一电子元件。电子元件将在后续制程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无铅无铜锡合金，其特征在于，以该无铅无铜锡合金的总重为100wt％计，包含：/n3.0～5.0wt％的银；/n0.01～3.5wt％的铋；/n0.01～3.5wt％的锑；/n0.005～0.1wt％的镍；/n0.005～0.02wt％的锗；及/n余量的锡。/n

【技术特征摘要】
20200106 TW 1091003791.一种无铅无铜锡合金，其特征在于，以该无铅无铜锡合金的总重为100wt％计，包含：
3.0～5.0wt％的银；
0.01～3.5wt％的铋；
0.01～3.5wt％的锑；
0.005～0.1wt％的镍；
0.005～0.02wt％的锗；及
余量的锡。


2.如权利要求1所述的无铅无铜锡合金，其特征在于，该无铅无铜锡合金包含3.5～4.5wt％的银。


3.如权利要求1所述的无铅无铜锡合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峻瑜，李志祥，李文和，
申请(专利权)人：升贸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71