可调式混合密度内存储存装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将一档案数据配置在一储存装置中。此储存装置具有一高密度内存以及一低密度内存。此控制方法的主要特征是以数据的长度来判断其性质，随后依照该数据的性质、储存装置的磨损程度和处理数据量的情况来决定将数据配置于高密度内存或低密度内存。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种储存装置，尤指一种混合密度内存(Hybrid densitymemory)储存装置及其控制方法。
技术介绍
非挥发性内存(Non-volatile memory，或称为非依电性内存)用以储存数据，常应用于储存装置，例如：记忆卡、USB接口随身碟、固态磁盘驱动器等。闪存(Flash memory)具有高储存密度、低耗电特性、有效的存取效率与合理价格成本等优点，而成为目前非挥发性内存主流。一般非挥发性内存通常全采用多级单元型内存(Multi-level-cell，MLC)或单级单元型内存(Single-level-cell，SLC)，其中以多级单元制成的内存为高密度内存(High density memory)，而以单级单元制成的内存为低密度内存(Low density memory)。相较于低密度内存，高密度内存单位面积的数据储存容量可成倍数增加，因而具有大幅提高储存容量与降低成本的优势，然其读写数据、执行烧录与抹除(Erase)动作所需的时间却较长；此外，多级单元制程技术也致使高密度内存所能承受的抹写次数(Erase cycle)较少，如此便连带影响了采用高密度内存的储存装置的数据存取速度与使用寿命。鉴于高密度内存的特点在于储存容量大与成本低，但数据存取速率慢及抹除耐用次数少；而低密度内存的特点在于数据存取速率快与抹除耐用次数多，但储存容量小及成本高，进而发展出在单一储存装置内同时具备上述两种不同密度的内存，即为混合密度内存(Hybriddensity memory)。目前，业界所提出的混合密度内存储存装置通常采用低密度内存记录使用频率较高的数据，用高密度内存记录数据量大的数据，因此要如何简单、迅速地辨识由主机端所传来的写入数据的性质以指定数据存取于适当的内存中，为一大研究课题；再者，由于低密度内存成本高且储存容量小，要如何规划一种有效的数据处理方式，使低密度内存上尽可能存放出现频率较高的数据，并淘汰较旧且出现频率较低的数据，也为目前急欲解决的问题；最后，因为不同密度的内存所能承受的抹除次数不一样，而且当内存存放的数据被更新或存取时，会-->抹除存放该数据的区块，进而导致两种密度的内存的抹除次数不平均，如此一来，会面临其中一种密度的内存先到抹除耐用次数限制，但另一种密度的内存尚可继续使用的情况，而提早结束储存装置的使用寿命。
技术实现思路
在混合密度内存储存装置中，常被存取与更新的数据又称热门数据，会配置于低密度内存中以能快速存取；而不常使用的非热门数据，又称冷门数据，会配置于高密度内存中。计算器系统在存取数据时，提供数据的起始地址及其数据长度，且重复出现的起始地址的数据其伴随的数据长度通常较短，本专利技术因而提出利用数据长度来判断每一写入数据的性质，以决定将写入数据纪录于适当的内存；而后又分析高密度内存和低密度内存的抹除次数来调节写入数据应存放的位置，期达到内存抹除平均化的功效。因此，本专利技术的目的在于提供一种可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，能简单、迅速地辨识写入数据的性质。本专利技术的再一目的提供一种可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，能在配置写入数据到内存时，达到抹除平均化的目的，进而提高混合密度内存装置的寿命，并防止储存资源的浪费。本专利技术的又一目的提供一种可调式混合密度内存储存装置及其控制方法，俾能在配置写入数据到内存时，能有效率地处理内存数据，进而提高混合密度内存装置的数据储存效能。本专利技术揭示一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将由主机传来的一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中。此储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元。所述的控制方法的步骤如下：首先进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；之后根据比较结果来决定该写入数据的配置位置，若该写入数据的数据长度比该门限值小，则将该写入数据配置于该低密度内存单元，否则将该写入数据配置于该高密度内存单元。本专利技术再揭示另一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将由主机传来的一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中。此储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元。所述的控制方法的步骤如下：首先进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；之后根据比较结果来决定该写入数据的配置位置，若该写入数据的数据长度大于或等于该门限值，则将该写入数据配置于该高密度内存单元，若-->该写入数据的数据长度比该门限值小，则将该写入数据传到一调节单元；随后进行一调节程序，分析低密度内存单元和高密度内存单元的磨损程度和其处理数据量的情况来决定存取该写入数据的位置。本专利技术又揭示另一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将由主机传来的一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中。此储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元。所述的控制方法的步骤如下：首先将该写入数据传到一调节单元以进行一调节程序，用以分析低密度内存单元和高密度内存单元的磨损程度和其处理数据量的情况来决定存取该写入数据的位置。本专利技术再揭示一种可调式混合密度内存储存装置，适用于存取一由一主机传来的写入数据。所述的可调式混合密度内存储存装置特别包括有一非挥发性内存单元、一热门数据过滤单元以及一调节单元。其中非挥发性内存单元包括一由高密度内存所构成的高密度内存单元，及一由低密度内存所构成的低密度内存单元；热门数据过滤单元接收该写入数据，并将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以辨别该写入数据的性质；调节单元耦接于该热门数据过滤单元及该非挥发性内存单元之间，以接收该写入数据，并比较该低密度内存单元与该高密度内存单元的磨耗率及其处理数据量的情况来决定将该写入数据传送至该低密度内存单元或该高密度内存单元。借此，根据该写入数据的传送走向来选择通过一第一地址转换单元将该写入数据的逻辑地址映像成该低密度内存单元中的一第一实体地址或通过一第二地址转换单元将该写入数据的逻辑地址映像成该高密度内存单元中的一第二实体地址，并将该写入数据配置于所映像的实体地址。换句话说，本专利技术提供一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中，该混合密度内存储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元，该控制方法包括下列步骤：进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；以及根据该写入数据的性质，将该写入数据配置于该混合密度内存储存装置的该高密度内存单元或该低密度内存单元。本专利技术还提供一种混合密度内存储存装置，适用于配合一主机存取一写入数据，该混合密度内存储存装置具有一低密度内存单元、一高密度内存单元和一控制单元，该控制单元包括有：一热门数据过滤单元，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以辨别该写入数据的性质；一调节单元，耦接于该热门数据过滤单元及该混合密度内存模块之间，以接收该写入数据，并比较该低密度内存单元与该高密度内存单元的磨耗率及其处理数据量的情况来决定将该写入数据传送-->至该低密度内存单元或该高密度内存单元；一系统接口，耦接于该主机，作为该主机及该混合密度内存储存装置间指令与数据的传输接口；一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中，该混合密度内存储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元，其特征在于，该控制方法包括下列步骤：　进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数 据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；以及　根据该写入数据的性质，将该写入数据配置于该混合密度内存储存装置的该高密度内存单元或该低密度内存单元。

【技术特征摘要】
1、一种可调式混合密度内存储存装置的控制方法，适用于将一写入数据配置在一混合密度内存储存装置中，该混合密度内存储存装置具有一高密度内存单元以及一低密度内存单元，其特征在于，该控制方法包括下列步骤：进行一热门数据过滤程序，将该写入数据的数据长度与一门限值比较，用以区分该写入数据的性质；以及根据该写入数据的性质，将该写入数据配置于该混合密度内存储存装置的该高密度内存单元或该低密度内存单元。2、如权利要求1所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，若该写入数据的数据长度比该门限值小，则判断该写入数据为一热门数据，将该写入数据配置于该低密度内存单元；否则判断该写入数据为一冷门数据，将该写入数据配置于该高密度内存单元。3、如权利要求2所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，将该写入数据配置于该混合密度内存储存装置步骤中，更包括执行一调节程序和一数据处理程序。4、如权利要求3所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该低密度内存单元定义连续多个区块，由一头端指针缓存器和一尾端指针缓存器从该些区块中界定出一有效区块的范围，该有效区块存放了至少一有效数据，该头端指针缓存器内存放的地址指向最新的该有效数据存放的该区块，该尾端指针缓存器内存放的地址指向最旧的该有效数据存放的该区块。5、如权利要求4所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该调节程序用以平均该混合密度内存储存装置的磨损程度，若该低密度内存单元的磨损率高于该高密度内存单元的磨损率，则将该写入数据配置于该高密度内存单元，反之则将该写入数据配置于该低密度内存单元。6、如权利要求5所述的可调式混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于，该调节程序更包括下列步骤：若该低密度内存单元的磨损率高于该高密度内存单元的磨损率的现象维持一存续时间，则缩减该有效区...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立平，陈明达，
申请(专利权)人：威刚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]