一种半导体单晶硅的拉晶炉制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体单晶硅的拉晶炉，属于单晶硅生产技术领域。包括炉体、设置在炉体内的坩埚和加热器，炉体内设有梯度测温装置，炉体的底部设有温度测试仪；加热器设置在坩埚的外围，包括间隔一定距离上下布置的上加热器和下加热器，上加热器和下加热器的发热区高度为坩埚高度的1/4至1/2，且上加热器与下加热器的加热区之间间隔为50mm至坩埚高度的1/3。实现了坩埚内熔体的温度梯度和坩埚底部的温度的精准控制，从而获得了低缺陷密度低COP的高品质硅单晶，以及各类半导体硅器件对单晶氧含量的要求，并且硅单晶的品质的稳定性、一致性也得到极大的提升，为半导体硅单晶的晶体生长提供了有效的控制方法。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体单晶硅的拉晶炉
本专利技术涉及单晶硅生产
，具体地说，涉及一种半导体单晶硅的拉晶炉。
技术介绍
目前主流的半导体大直径拉晶主要采用超导磁场拉晶技术，3000-8000高斯的强磁场，极大地抑制了坩埚内的硅熔体的对流，熔体的稳定性得到了极大的提高，晶体生长可以在0.5rpm左右的极低埚转下实现，硅中的氧含量可以降到12ppma以下，各类晶体缺陷、空位型缺陷密度COP也得到很好的控制，但低埚转带来的明显劣势如热场的不对称性引起的径向波动，熔体未充分搅拌引起的熔体温度、杂质浓度的不均匀，晶体缺陷检测会时常发现原生层错、热氧化诱生层错(OISF)等严重晶体缺陷，因此，无磁场、常规埚转下的氧含量和晶体缺陷控制技术的创新成为另一种选择。研究表明，硅晶格中原生点缺陷的类型和密度与V/G(T)的比值有关，V为晶体生长速度，G(T)为跨过固液界面的温度梯度，通常情况下，V/G比有一个临界值，大于这个临界值，晶体生长成空位性缺陷，V/G比的比值越大空位型点缺陷的密度也就越大，小于这个临界值，晶体生长成间隙型缺陷，且V/G比的比值越低间隙型点缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体单晶硅的拉晶炉，包括炉体、设置在所述炉体内的坩埚和加热器，其特征在于，所述炉体内设有梯度测温装置，炉体的底部设有温度测试仪；/n所述加热器设置在所述坩埚的外围，包括间隔一定距离上下布置的上加热器和下加热器，所述上加热器和下加热器的发热区高度为坩埚高度的1/4至1/2，且上加热器与下加热器的加热区之间间隔为50mm至坩埚高度的1/3。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体单晶硅的拉晶炉，包括炉体、设置在所述炉体内的坩埚和加热器，其特征在于，所述炉体内设有梯度测温装置，炉体的底部设有温度测试仪；
所述加热器设置在所述坩埚的外围，包括间隔一定距离上下布置的上加热器和下加热器，所述上加热器和下加热器的发热区高度为坩埚高度的1/4至1/2，且上加热器与下加热器的加热区之间间隔为50mm至坩埚高度的1/3。


2.根据权利要求1所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的坩埚包括用于盛装熔体的石英坩埚和包裹在所述石英坩埚外的石墨或碳碳纤维坩埚，所述的加热器设置在所述石墨或碳碳纤维坩埚的外侧。


3.根据权利要求1所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的石墨或碳碳纤维坩埚的底部设有坩埚轴，所述的温度测试仪为设置在所述坩埚轴的底端的红外温度测试仪。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜益群，
申请(专利权)人：姜益群，
类型：发明
国别省市：浙江;33