电镀液保护装置及包括其的晶圆电镀系统制造方法及图纸

技术编号:29126841 阅读:22 留言:0更新日期:2021-07-02 22:21
本发明专利技术公开了一种电镀液保护装置及包括其的晶圆电镀系统,晶圆电镀系统的电镀槽具有用于容纳电镀液的第一空间,第一空间与外界隔离;电镀液保护装置包括供气组件和第一气体输送组件,供气组件用于提供隔离气体,隔离气体与电镀液不发生化学反应;第一气体输送组件的出气端与第一空间连通,隔离气体能够从第一气体输送组件的出气端口流入第一空间。隔离气体能够替换掉原本位于电镀槽内的电镀液上方的空气,并与电镀槽共同形成了与外界隔离的第一空间,从而使位于第一空间内的电镀液能够不与第一空间外的空气接触,以避免空气中的杂质落入电镀液中,并避免电镀液与空气产生化学反应,提高电镀液的品质,提高电镀液的保护效果,提高电镀质量。

【技术实现步骤摘要】
电镀液保护装置及包括其的晶圆电镀系统
本专利技术涉及半导体加工领域,特别涉及一种电镀液保护装置及包括其的晶圆电镀系统。
技术介绍
在晶圆电镀工艺中,电镀液的品质对电镀工艺的结果有很大的影响,电镀液中的杂质越多或者电镀液的成分发生变化都会降低电镀质量。现有技术中,工作人员是在电镀槽内对晶圆进行电镀加工,电镀槽为上端敞开的结构,因此导致电镀槽内的电镀液始终暴露在空气中。空气中的悬浮杂质可能会落入电镀液中,电镀液也可能会与空气中的氧气等气体产生化学反应而导致电镀液的成分产生变化,从而对晶圆电镀工艺的质量产生很大的影响,会使电镀工艺的质量降低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中电镀液直接暴露在空气中而导致电镀质量较低的缺陷,提供一种电镀液保护装置及包括其的晶圆电镀系统。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题:一种电镀液保护装置,用于晶圆电镀系统,所述晶圆电镀系统包括电镀槽,所述电镀槽具有用于容纳电镀液的第一空间,所述第一空间与外界隔离;所述电镀液保护装置包括:供气组件,所述供气组件用于提供隔离气体,所述隔离气体与电镀液不发生化学反应;第一气体输送组件,所述第一气体输送组件的进气端与所述供气组件连接并连通,所述第一气体输送组件的出气端与所述第一空间连通,所述隔离气体能够从所述第一气体输送组件的出气端口流入所述第一空间。在本方案中,供气组件产生的隔离气体通过第一气体输送组件传输至电镀槽一侧,隔离气体能够替换掉原本位于电镀槽内的电镀液上方的空气,隔离气体和电镀槽共同形成了与外界隔离的第一空间,从而使位于第一空间内的电镀液能够不与第一空间外的空气接触,以避免空气中的杂质落入电镀液中,并避免电镀液与空气产生化学反应。隔离气体由供气组件提供,不具有杂质,且不与电镀液产生化学反应,因此能够提高电镀液的品质,提高电镀液的保护效果,提高电镀质量。较佳地,所述第一空间具有出气口,所述第一气体输送组件的出气端与所述出气口连通,所述出气口位于所述第一空间内的电镀液的液面上方。在本方案中,上述设置能够使得原本位于第一空间内的空气通过出气口完全排出第一空间,以使第一空间内的电镀液只和隔离气体接触,避免第一空间内的空气中的杂质落入电镀液中,并避免电镀液与第一空间内的空气产生化学反应,进一步提高电镀液的品质,提高电镀液的保护效果,提高电镀质量。较佳地,所述第一气体输送组件的出气端的数量为多个,多个所述第一气体输送组件的出气端环绕所述电镀槽设置。在本方案中,上述设置用于保证电镀槽各部分受气均匀,以避免因为局部隔离气体供应不足而导致电镀液与空气接触,提高对电镀液的保护效果。较佳地,所述电镀液保护装置还包括安装座,所述安装座包括多个首尾相接的侧板,多个所述侧板安装在所述晶圆电镀系统的工作台上并环绕所述电镀槽设置,多个所述侧板围成空心的腔室,所述腔室与所述电镀槽连通,所述第一气体输送组件的出气端口伸入所述腔室内。在本方案中,安装座起到支撑第一气体输送组件的作用,侧板用于将隔离气体聚拢到腔室内,减少隔离气体的流失,从而还能够减少隔离气体的输送量,降低成本。较佳地,所述侧板的上表面位于所述电镀槽的上表面的上方,所述安装座还包括上封板,所述上封板覆盖在多个所述侧板的上表面上,所述上封板具有位于所述电镀槽正上方且贯通至所述电镀槽的电镀口。在本方案中,上封板用于阻挡隔离气体从腔室的上部离开,起到聚拢隔离气体的作用,以保证隔离气体能够流入第一空间,提高电镀液保护装置的可靠性,还能够减少隔离气体的输送量,降低成本。较佳地,所述上封板上还具有供气口,所述第一气体输送组件的出气端插入所述供气口。在本方案中,上述设置使得隔离气体是从电镀槽的上方进入腔室,避免电镀槽的侧壁对隔离气体的阻挡,提高电镀液保护装置的可靠性。较佳地,所述电镀液保护装置还包括上盖板,所述上盖板与所述上封板的上表面抵接;在非工况下,所述上盖板能够完全覆盖住所述上封板上的所述电镀口。在本方案中,上盖板用于在非工况下减少腔室内的隔离气体的泄漏,从而在非工况下,可以减少隔离气体的持续输入量,以降低供气组件的功率,降低成本。较佳地,所述工作台的上表面、多个所述侧板、所述上封板和所述上盖板形成封闭空间,所述第一空间位于所述封闭空间内。在本方案中,上述设置能够在非工况下减少位于封闭空间内的隔离气体的泄漏,从而在非工况下,可以减少隔离气体的持续输入量,甚至可以不用持续输入隔离气体以保证电镀槽内的电镀液始终不与空气接触,能够降低供气组件的功率,降低成本。较佳地,所述封闭空间内部的气体压力大于等于大气压力。在本方案中,上述设置使得外界的空气无法从封闭空间的间隙进入封闭空间的内部,保证电镀液始终无法与外界空气接触,提高对电镀液的保护效果。较佳地,所述晶圆电镀系统还包括用于容纳电镀液的容纳腔,所述容纳腔的内部具有用于容纳电镀液的第二空间,所述第二空间与外界隔离;所述电镀液保护装置还包括第二气体输送组件,所述第二气体输送组件的进气端与所述供气组件连接并连通,所述第二气体输送组件的出气端与所述第二空间连通,所述隔离气体能够从所述第二气体输送组件的出气端口流入所述第二空间。在本方案中,通过向容纳腔的内部输送隔离气体,使得容纳腔的内部能够形成于外界隔离的第二空间,从而保证容纳腔内的电镀液也能够不与空气接触,进一步提高对电镀液的保护效果。一种晶圆电镀系统,所述晶圆电镀系统包括如上所述的电镀液保护装置。在本方案中,提供一种电镀液保护装置的应用领域,电镀液保护装置用于保护晶圆电镀系统中的电镀液尽可能不直接与空气接触,以避免空气中的杂质落入电镀液以及电镀液与空气产生化学反应,从而提高电镀质量。本专利技术的积极进步效果在于:供气组件产生的隔离气体通过第一气体输送组件传输至电镀槽一侧,隔离气体能够替换掉原本位于电镀槽内的电镀液上方的空气,隔离气体和电镀槽共同形成了与外界隔离的第一空间,从而使位于第一空间内的电镀液能够不与第一空间外的空气接触,以避免空气中的杂质落入电镀液中,并避免电镀液与空气产生化学反应。隔离气体由供气组件提供,不具有杂质,且不与电镀液产生化学反应,因此能够提高电镀液的品质,提高电镀液的保护效果,提高电镀质量。附图说明图1为本专利技术一实施例的晶圆电镀系统的立体结构示意图。图2为本专利技术一实施例的工况下电镀槽一侧的电镀液保护装置的立体结构示意图。图3为本专利技术一实施例的腔室的剖面结构示意图。图4为本专利技术一实施例的非工况下电镀槽一侧的电镀液保护装置的立体结构示意图。图5为本专利技术一实施例的容纳腔一侧的电镀液保护装置的立体结构示意图。图6为本专利技术一实施例的容纳腔的剖面结构示意图。附图标记说明:工作台1电镀槽2第一空间3第一气体输送组件4第一气体输送组件的进气端41第一气体输送组件的出气端42侧板51<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电镀液保护装置,用于晶圆电镀系统,所述晶圆电镀系统包括电镀槽,其特征在于,所述电镀槽具有用于容纳电镀液的第一空间,所述第一空间与外界隔离;/n所述电镀液保护装置包括:/n供气组件,所述供气组件用于提供隔离气体,所述隔离气体与电镀液不发生化学反应;/n第一气体输送组件,所述第一气体输送组件的进气端与所述供气组件连接并连通,所述第一气体输送组件的出气端与所述第一空间连通,所述隔离气体能够从所述第一气体输送组件的出气端口流入所述第一空间。/n

【技术特征摘要】
1.一种电镀液保护装置,用于晶圆电镀系统,所述晶圆电镀系统包括电镀槽,其特征在于,所述电镀槽具有用于容纳电镀液的第一空间,所述第一空间与外界隔离;
所述电镀液保护装置包括:
供气组件,所述供气组件用于提供隔离气体,所述隔离气体与电镀液不发生化学反应;
第一气体输送组件,所述第一气体输送组件的进气端与所述供气组件连接并连通,所述第一气体输送组件的出气端与所述第一空间连通,所述隔离气体能够从所述第一气体输送组件的出气端口流入所述第一空间。


2.如权利要求1所述的电镀液保护装置,其特征在于,所述第一空间具有出气口,所述第一气体输送组件的出气端与所述出气口连通,所述出气口位于所述第一空间内的电镀液的液面上方。


3.如权利要求1所述的电镀液保护装置,其特征在于,所述第一气体输送组件的出气端的数量为多个,多个所述第一气体输送组件的出气端环绕所述电镀槽设置。


4.如权利要求1所述的电镀液保护装置,其特征在于,所述电镀液保护装置还包括安装座,所述安装座包括多个首尾相接的侧板,多个所述侧板安装在所述晶圆电镀系统的工作台上并环绕所述电镀槽设置,多个所述侧板围成空心的腔室,所述腔室与所述电镀槽连通,所述第一气体输送组件的出气端口伸入所述腔室内。


5.如权利要求4所述的电镀液保护装置,其特征在于,所述侧板的上表面位于所述电镀槽的上表面的上方,所述安装座还包括上封板,所述上封...

【专利技术属性】
技术研发人员:史蒂文·贺·汪林鹏鹏
申请(专利权)人:硅密芯镀海宁半导体技术有限公司新阳硅密上海半导体技术有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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