流量校准系统及方法、供气系统技术方案

本发明专利技术实施例涉及一种流量校准系统及方法、供气系统，流量校准方法包括：提供反应腔室、供气装置及质量流量控制器；在预设工艺温度下，采用测试气体进行流量测试，以得到流量信息图，所述流量信息图包括当前流量信息图；根据所述当前流量信息图校准质量流量控制器；其中，所述流量测试包括：控制供气装置通过处于标准流量规格下的所述质量流量控制器向反应腔室输送气体，且根据输送时间和相应的所述反应腔室的气压得到流量信息图。本发明专利技术能够获取质量流量控制器处于一标准流量规格时的流量信息图，并根据流量信息图校准质量流量控制器。

【技术实现步骤摘要】
流量校准系统及方法、供气系统
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种流量校准系统及方法、供气系统。
技术介绍
通过化学气相沉积工艺生成需要的钨金属薄膜时，气体的流量对于工艺控制和钨薄膜质量具有重要影响。因此，在进行化学气相沉积工艺时需要精准控制气体流量。化学气相沉积工艺通常使用质量流量控制器(MassFlowcontroller，MFC)对气体流量进行精准控制，在进行保养维护和排查异常的时候，需要对质量流量控制器的准确度进行验证和校准。现有质量流量控制器校准方法有待改进。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种流量校准系统及方法、供气系统，获取质量流量控制器处于一标准流量规格时的流量信息图，并根据流量信息图校准质量流量控制器。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种流量校准方法，包括：提供反应腔室、供气装置及质量流量控制器；在预设工艺温度下，控制分析模块采用测试气体进行流量测试，以得到流量信息图，所述流量信息图包括当前流量信息图；校准模块根据所述当前流量信息图校准质量流量控制器；其中，所述流量测试包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种流量校准方法，其特征在于，包括：/n提供反应腔室、供气装置及质量流量控制器；/n在预设工艺温度下，采用测试气体进行流量测试，以得到流量信息图，所述流量信息图包括当前流量信息图；/n根据所述当前流量信息图校准质量流量控制器；/n其中，所述流量测试包括：控制供气装置通过处于标准流量规格下的所述质量流量控制器向反应腔室输送气体，且根据输送时间和相应的所述反应腔室的气压得到流量信息图。/n

【技术特征摘要】
1.一种流量校准方法，其特征在于，包括：
提供反应腔室、供气装置及质量流量控制器；
在预设工艺温度下，采用测试气体进行流量测试，以得到流量信息图，所述流量信息图包括当前流量信息图；
根据所述当前流量信息图校准质量流量控制器；
其中，所述流量测试包括：控制供气装置通过处于标准流量规格下的所述质量流量控制器向反应腔室输送气体，且根据输送时间和相应的所述反应腔室的气压得到流量信息图。


2.根据权利要求1所述的流量校准方法，其特征在于，所述流量信息图还包括参照流量信息图，且在得到所述当前流量信息图之前得到所述参照流量信息图；校准模块根据所述当前流量信息图和所述参照流量信息图的差异校准所述质量流量控制器。


3.根据权利要求2所述的流量校准方法，其特征在于，所述质量流量控制器包括预设的第一误差允许范围以及与所述标准流量规格对应的误差允许规格；所述参照流量信息图包括误差流量信息图，所述得到所述参照流量信息图，还包括：在所述预设工艺温度下，采用所述测试气体对处于所述误差允许规格的所述质量流量控制器进行所述流量测试，以得到所述误差流量信息图。


4.根据权利要求2或3所述的流量校准方法，其特征在于，所述流量信息图还包括常温流量信息图，所述测试气体包括反应气体或惰性气体；在得到所述参照流量信息图之前，还包括：在常温下，采用所述反应气体对处于所述标准流量规格下的所述质量流量控制器进行所述流量测试，以得到常温流量信息图，并根据常温流量信息图和所述标准流量规格判断所述质量流量控制器的误差是否处于预设的第二误差允许范围内；若是，进行相应的所述流量测试，以得到所述参照流量信息图。


5.根据权利要求2至3中任一项所述的流量校准方法，其特征在于，所述参照流量信息图包括至少一个参照流量点，所述当前流量信息图包括至少两个当前流量点；其中，所述流量点包括所述输送时间与所述反应腔室的气压的对应关系。


6.根据权利要求3所述的流量校准方法，其特征在于，所述流量信息图具有斜率和线性度；所述校准模块获取当前流量信息图的当前线性度和当前斜率，且获取所述参照流...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹鹏，夏智，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34