一种原子层沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体集成技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置。所述原子层沉积装置包括作业载台和箱体，作业载台为回转体，作业载台的侧壁上设置有至少两个独立设置的载片腔和用于间隔载片腔的间隔部，载片腔上设置有用于向载片腔内通气的气孔；箱体包括回转体容置部和至少两个独立设置在回转体容置部外侧的供源腔，回转体容置部套设在作业载台外；作业载台能够转动以使载片腔与供源腔相连通便于供源腔向载片腔供给前驱体，或使间隔部遮盖供源腔的开口以隔断供源腔和载片腔便于对载片腔内的基片进行吹扫操作，从而将吹扫操作区和前驱体吸附区隔离开，减少吹扫时间，降低成本；且能够大大减少颗粒污染，提高产品良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积装置
本技术涉及半导体集成
，尤其涉及一种原子层沉积装置。
技术介绍
采用原子层沉积技术(AtomicLayerDeposition，简称ALD)进行Al2O3薄膜工艺研究,获得85℃低温Al2O3薄膜ALD的最佳工艺条件。目前，通常可利用原子层沉积装置，例如以三甲基铝(TMA)和H2O为前驱体以制备Al2O3薄膜，在半导体领域或薄膜封装领域均有应用。然而，现有的原子层沉积装置吹扫清洗时间长，从而造成产品生产周期长，生产成本增加。现有技术中，不同的反应气体源通常是通在一个腔室内，造成成膜反应发生在腔室内壁或者在腔室的交界处，这些成膜积攒到一定程度会发生破碎脱落，产生较多的微纳颗粒，造成产品良率降低。因此，亟待需要一种原子层沉积装置以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种原子层沉积装置，便于对基片进行吹扫操作，缩短吹扫时间，节约材料，缩短产品生产周期，降低成本；且能够大大减少颗粒污染，提高产品良品率。为实现上述目的，提供以下技术方案：一方面，提供了一种原子层沉积装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：/n作业载台(1)，其为回转体，所述作业载台(1)的侧壁上设置有至少两个独立设置的载片腔和用于间隔所述载片腔的间隔部(13)，所述载片腔上设置有气孔(14)，所述气孔(14)用于向所述载片腔内通气以对所述载片腔内的基片进行吹扫操作；/n箱体(2)，包括回转体容置部(21)和至少两个独立设置在所述回转体容置部(21)外侧的供源腔，所述回转体容置部(21)套设在所述作业载台(1)外，所述供源腔能够向所述载片腔能够供给前驱体；/n所述作业载台(1)能够转动，以使所述载片腔与所述供源腔相连通，或使所述间隔部(13)遮盖所述供源腔的开口。/n

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：
作业载台(1)，其为回转体，所述作业载台(1)的侧壁上设置有至少两个独立设置的载片腔和用于间隔所述载片腔的间隔部(13)，所述载片腔上设置有气孔(14)，所述气孔(14)用于向所述载片腔内通气以对所述载片腔内的基片进行吹扫操作；
箱体(2)，包括回转体容置部(21)和至少两个独立设置在所述回转体容置部(21)外侧的供源腔，所述回转体容置部(21)套设在所述作业载台(1)外，所述供源腔能够向所述载片腔能够供给前驱体；
所述作业载台(1)能够转动，以使所述载片腔与所述供源腔相连通，或使所述间隔部(13)遮盖所述供源腔的开口。


2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述载片腔和所述间隔部(13)均为扇形，所述间隔部(13)的圆心角不小于所述载片腔的圆心角。


3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述供源腔的开口不大于所述载片腔的开口。


4.根据权利要求3所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述供源腔为扇形，所述供源腔的圆心角等于所述载片腔的圆心角。


5.根据权利要求1-4任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，至少两个所述载片腔均匀间隔设置，且至少两个所述供源腔均匀间隔设置在所述回转体容...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志斌，马骏，祝晓钊，冯敏强，廖良生，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32