芯片结构、芯片组件、成膜方法、纳米孔测序装置及应用制造方法及图纸

本申请提出了一种芯片结构、芯片组件、成膜方法、纳米孔测序装置及应用。芯片结构包括基底层、第一功能膜层结构和储油结构；第一功能膜层结构设置于基底层的表面，第一功能膜层结构包括呈阵列分布的多个第一结构单元，相邻的第一结构单元彼此连通；储油结构能够吸附非极性溶剂或限定非极性溶剂能够进入，储油结构和第一功能膜层结构连通。储油结构能够吸附非极性溶剂或限定非极性溶剂能够进入。非极性溶剂从含量高的区域向含量低的区域定向移动，第一功能膜层结构内的非极性溶剂可以定向向第二功能膜层结构流动，薄膜较厚的第一结构单元内的非极性溶剂可以定向向薄膜较薄的第一结构单元流动，进而使得各第一结构单元内的薄膜厚度均一且厚度较薄。

【技术实现步骤摘要】
芯片结构、芯片组件、成膜方法、纳米孔测序装置及应用
本申请涉及两亲分子层领域，特别是涉及芯片结构、芯片组件、成膜方法、纳米孔测序装置及应用。
技术介绍
两亲性材料成膜的芯片结构包括成膜区，成膜区具有多个结构单元。在芯片结构上依次通入极性溶剂、两亲性材料的非极性溶剂和极性溶剂，对各结构单元进行成膜。形成两亲性材料薄膜的结构单元上，两亲性材料的非极性溶剂夹在两层极性溶剂之间形成薄膜。然而目前的芯片结构存在各结构单元的薄膜成膜厚度不均一的问题，过厚的薄膜丧失了功能性，影响测试效率和测试结果。
技术实现思路
本申请提供芯片结构、芯片组件、成膜方法、纳米孔测序装置及应用，旨在解决目前的芯片结构存在各结构单元的薄膜成膜厚度不均一的问题。第一方面，本申请实施例提出了一种芯片结构，包括：基底层；第一功能膜层结构；设置于所述基底层的表面，所述第一功能膜层结构内包括阵列分布的第一结构单元，相邻的所述第一结构单元彼此连通；第二功能膜层结构，设置于所述基底层，所述第二功能膜层结构限定非极性溶剂能够进入，所述第二功能膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：/n基底层；/n第一功能膜层结构，设置于所述基底层的表面，所述第一功能膜层结构包括呈阵列分布的多个第一结构单元，相邻的所述第一结构单元彼此连通；/n储油结构，所述储油结构能够吸附非极性溶剂或限定非极性溶剂能够进入，所述储油结构用于和所述第一功能膜层结构连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：
基底层；
第一功能膜层结构，设置于所述基底层的表面，所述第一功能膜层结构包括呈阵列分布的多个第一结构单元，相邻的所述第一结构单元彼此连通；
储油结构，所述储油结构能够吸附非极性溶剂或限定非极性溶剂能够进入，所述储油结构用于和所述第一功能膜层结构连通。


2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述储油结构为设置于所述基底层的第二功能膜层结构，第二功能膜层结构包括和所述第一功能膜层结构连通的容纳槽，所述容纳槽限定非极性溶剂能够进入。


3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述基底层还设有排液通道，所述第二功能膜层结构通过所述排液通道和所述第一功能膜层结构连通。


4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述排液通道为限定非极性溶剂能够通过的排油通道。


5.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述第二功能膜层结构内包括呈阵列分布的第二结构单元，相邻的所述第二结构单元彼此连通，所述第二结构单元的结构与所述第一结构单元的结构相同或不同。


6.根据权利要求1~5任一项所述的芯片结构，其特征在于，所述储油结构为能够选择性吸附非极性溶剂的片状结构。


7.根据权利要求1~5任一项所述的芯片结构，其特征在于，所述基底层包括多个第一电极，多个所述第一电极分别与各所述第一结构单元包围的空间连通。


8.一种芯片组件，其特征在于，包括：
权利要求1~7任一项所述的芯片结构；
盖体，设置于所述芯片结构的第一功能膜层结构所在平面的一侧，所述盖体包括贯穿的进液口和出液口；
垫片，设置于所述盖体和所述芯片结构之间，所述垫片包括至少部分围绕第一功能膜层结构的第一容纳腔，所述第一容纳腔、所述盖体和所述芯片结构围绕形成第一腔室，所述进液口和出液口均与所述第一腔室连通。


9.根据权利要求8所述的芯片组件，其特征在于，储油结构为设置于所述基底层的第二功能膜层结构，第二功能膜层结构包括和所述第一功能膜层结构连通的容纳槽，所述容纳槽限定非极性溶剂能够进入；
所述垫片还包括至少部分围绕第二功能膜层结构的第二容纳腔，所述第二容纳腔、所述盖体和所述芯片结构围绕形成第二腔室，所述第二腔室和所述第一腔室互不连通。


10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱睿，任世龙，严勇，
申请(专利权)人：成都齐碳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51