【技术实现步骤摘要】
孔阵列层结构、预涂方法、成膜方法及相关装置
[0001]本申请属于生物检测
,尤其涉及一种孔阵列层结构、预涂方法、成膜方法及相关装置。
技术介绍
[0002]纳米孔测序中,通过施加一定的电势,驱动诸如生物大分子的分析物穿过嵌入在支撑膜(例如脂质膜)中的纳米孔测序通道,利用不同化学基团在经过纳米孔测序通道时引起电流变化,识别通过纳米孔测序通道的生物大分子。形成纳米孔的结构通常分为上下两层,其上层结构间相互连通,但是在成膜过程后,上层的互联结构,易导致介质能够流通于各个纳米孔中,严重影响成膜后的稳定性。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供了一种孔阵列层结构、预涂方法、成膜方法及相关装置,以解决现有技术中成膜过程后不稳定的问题。
[0004]本申请实施例的第一方面,提供一种孔阵列层结构,用于和衬底形成成膜空间,所述成膜空间用于形成膜层,所述孔阵列层结构包括基板,所述基板中的阵列排布有多个孔单元,所述孔单元贯穿所述基板,所述孔单元包括沿所述基板厚度方向叠加设置的第一孔部及第二孔部,所述第二孔部被配置为和所述衬底连接,所述第一孔部在垂直于所述基板厚度方向的平面上的投影具有第一孔部轮廓,所述第二孔部在垂直于所述基板厚度方向的平面上的投影具有第二孔部轮廓,所述第一孔部轮廓环绕于所述第二孔部轮廓外侧,所述多个孔单元的所述第二孔部之间彼此不连通,以阻止各个所述第二孔部内的液体介质在多个所述第二孔部之间流动,并且所述多个孔单元的所述第一孔部之间彼此不连通,以阻止各个所述第一孔部内的液体介质在多个所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种孔阵列层结构,用于和衬底形成成膜空间,所述成膜空间用于形成膜层,所述孔阵列层结构包括:基板;及设置于所述基板中的阵列排布的多个孔单元,所述孔单元贯穿所述基板,所述孔单元包括沿所述基板厚度方向叠加设置的第一孔部及第二孔部,所述第二孔部被配置为和所述衬底连接,所述第一孔部在垂直于所述基板厚度方向的平面上的投影具有第一孔部轮廓,所述第二孔部在垂直于所述基板厚度方向的平面上的投影具有第二孔部轮廓,所述第一孔部轮廓环绕于所述第二孔部轮廓外侧,所述孔阵列层结构,其特征在于,所述多个孔单元的所述第二孔部之间彼此不连通,以阻止各个所述第二孔部内的介质在多个所述第二孔部之间流动,并且所述多个孔单元的所述第一孔部之间彼此不连通,以阻止各个所述第一孔部内的介质在多个所述第一孔部之间流动。2.根据权利要求1所述的孔阵列层结构,其特征在于,还包括有从所述第一孔部侧壁垂直于所述基板厚度方向向外延伸的第一齿槽,所述第一齿槽沿所述第一孔部周向设置有多个,并具有在所述第一孔部轮廓处与所述第一孔部相连通的开口,在垂直于所述基板厚度方向的平面上的投影中,所述第一齿槽的槽底至所述开口处的延伸长度不等。3.根据权利要求2所述的孔阵列层结构,其特征在于,在垂直于所述基板厚度方向的平面上,多个所述第一齿槽的槽底的投影及其延长线约束的轮廓为第一齿槽外轮廓,所述第一齿槽外轮廓为正多边形或圆形。4.根据权利要求3所述的孔阵列层结构,其特征在于,在垂直于所述基板厚度方向的平面上,多个所述第一齿槽的轴线延伸后交汇于所述第一齿槽外轮廓的中心。5.根据权利要求4所述的孔阵列层结构,其特征在于,还包括有从所述第二孔部侧壁垂直于所述基板厚度方向向外延伸的第二齿槽,所述第二齿槽沿所述第二孔部周向设置有多个,并具有在所述第二孔部轮廓处与所述第二孔部相连通的开口。6.根据权利要求5所述的孔阵列层结构,其特征在于,在垂直于所述基板厚度方向的平面上,多个所述第一齿槽的开口的投影及其延长线约束的轮廓为所述第一孔部轮廓,多个所述第二齿槽的槽底的投影及其延长线约束的轮廓为第二齿槽外轮廓,所述第二齿槽外轮廓与所述第一孔部轮廓相吻合。7.根据权利要求6所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述第一齿槽外轮廓为正多边形,所述第一孔部轮廓为圆形。8.根据权利要求6所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述第一齿槽外轮廓为圆形,所述第一孔部轮廓为非圆形。9.根据权利要求5
‑
8中任一项所述的孔阵列层结构,其特征在于,在垂直于所述基板厚度方向的平面上,所述第二齿槽的开口的投影及其延长线约束的轮廓为所述第二孔部轮廓,所述第二孔部轮廓位于所述第一孔部轮廓以内,所述第二孔部轮廓为圆形,所述第一齿槽外轮廓的中心与所述第二孔部轮廓的中心相重合。10.根据权利要求9所述的孔阵列层结构,其特征在于,在垂直于所述基板厚度方向的平面上,多个所述第二齿槽的轴线延伸后交汇于所述第二孔部外轮廓的中心。
11.根据权利要求10所述的孔阵列层结构,其特征在于,相邻所述孔单元间还设置有沟道,所述沟道沿所述基板的厚度方向延伸,在垂直于所述基板厚度方向的平面上,所述沟道的投影与所述第一齿槽外轮廓的投影相吻合。12.根据权利要求5所述的孔阵列层结构,其特征在于,在所述孔阵列层结构中,所述多个孔单元中的一者的所述第一齿槽与相邻孔单元的所述第一齿槽相互对齐。13.根据权利要求5所述的孔阵列层结构,其特征在于,在所述孔阵列层结构中,所述多个孔单元中的一者的所述第一齿槽与相邻孔单元的所述第一齿槽相互交错。14.根据权利要求11所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述沟道侧壁上沿垂直于所述基板厚度方向向外延伸的多个第三齿槽。15.根据权利要求14所述的孔阵列层结构,其特征在于,在...
【专利技术属性】
技术研发人员:王琎,郭明钊,翟伟,张悠纳,
申请(专利权)人:成都齐碳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。