像素结构、阵列基板以及液晶显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种像素结构、阵列基板以及液晶显示面板，该像素结构的每一像素单元包括像素电极以及与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减；或者，第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增。本实用新型专利技术利用增设的电容补偿单元可有效补偿像素电极由于工艺制程因素出现偏移时造成左右两侧的耦合电容差异，改善了液晶显示面板垂直串扰色偏现象。

【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板以及液晶显示面板
本技术涉及显示
，尤其涉及一种像素结构、阵列基板以及液晶显示面板。
技术介绍
垂直串扰为液晶显示面板显示垂直画面时，产生亮度异常和色偏的现象，其中引起亮度异常的主要原因是像素电极与数据线的耦合电容过大，使像素电极电位受到数据信号的影响从而产生亮度变化。而引起色偏的主要原因是各个颜色的子像素的耦合电容不一致，例如，当G像素的耦合电容较大时，会产生部分区域偏绿和部分区域偏红的现象。随着面板的分辨率越来越高，像素尺寸越来越小，液晶显示面板容易因工艺偏差造成像素电极发生偏移，导致数据线与左右两侧的像素电极的耦合差异不断增大，从而加剧各个颜色的子像素的耦合电容的不一致性，导致垂直串扰色偏的现象愈发突出，影响画面显示效果以及产品良率。
技术实现思路
本技术实施例提供一种像素结构、阵列基板以及液晶显示面板，以解决现有的液晶显示面板容易因工艺偏差造成像素电极发生偏移，导致数据线与左右两侧的像素电极的耦合差异不断增大，导致出现垂直串扰色偏技术问题。为解决上述问题，本技术提供的技术方案如下：本技术提供一种像素结构，包括基板以及设于所述基板上的多条栅极线和多条数据线，多条所述栅极线和多条所述数据线界定出多个像素单元；每一所述像素单元包括像素电极与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一所述电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，所述第一电容补偿部与邻近的第一数据线部分重叠，所述第二电容补偿部与邻近的第二数据线部分重叠；所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减；或者，所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增。根据本技术提供的像素结构，所述第一电容补偿部的横截面面积沿所述第一数据线朝向所述第二数据线的方向递减，所述第二电容补偿部的横截面面积沿所述第一数据线朝向所述第二数据线的方向递增。根据本技术提供的像素结构，所述第一电容补偿部和所述第二电容补偿部在所述基板上的正投影的形状为梯形或三角形。根据本技术提供的像素结构，当所述像素电极无偏移时，所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积为A，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积为B；其中，A=B。根据本技术提供的像素结构，每一电容补偿单元还包括用于连接所述第一电容补偿部、所述第二电容补偿部与所述像素电极的连接部；所述像素结构包括用于连接所述像素电极和薄膜晶体管的过孔，所述连接部经过所述过孔。根据本技术提供的像素结构，所述像素结构包括设于所述像素电极上下两侧的第一黑矩阵区，所述栅极线和所述电容补偿单元位于所述第一黑矩阵区。根据本技术提供的像素结构，所述像素结构还包括设于所述像素电极左右两侧的第二黑矩阵区，所述数据线和所述电容补偿单元位于所述第二黑矩阵区。根据本技术提供的像素结构，同一所述像素单元的所述第一电容补偿部和所述第二电容补偿部呈对角线设置，多个所述像素单元的多个所述第一电容补偿部水平设置，多个所述像素单元的多个所述第二电容补偿部水平设置。本技术提供一种阵列基板，包括上述像素结构；以及驱动电路，设置于所述基板上，所述驱动电路与所述像素结构相连。本技术提供一种液晶显示面板，包括上述阵列基板；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及液晶层，设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。本技术的有益效果为：本技术提供的像素结构、阵列基板以及液晶显示面板，每一所述像素单元包括像素电极以及与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，第一电容补偿部与邻近的第一数据线部分重叠，第二电容补偿部与邻近的第二数据线部分重叠；第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减；或者，第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增。本技术增设的电容补偿单元可有效补偿像素电极由于工艺制程因素出现偏移时造成左右两侧的耦合电容差异，改善了液晶显示面板垂直串扰色偏现象，有利于提升液晶显示面板的生产良率以及显示效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种像素结构的俯视结构示意图；图2为图1中的像素结构的像素电极向右偏移时的俯视结构示意图；图3为图1中的像素结构的像素电极向左偏移时的俯视结构示意图；图4为本技术实施例提供的另一种像素结构的俯视结构示意图；图5为本技术实施例提供的另一种像素结构的俯视结构示意图。附图标记说明：10、像素结构；11、基板；12、栅极线；13、数据线；131、第一数据线；132、第二数据线；14、像素单元；15、像素电极；151、过孔；16、电容补偿单元；161、第一电容补偿部；162、第二电容补偿部；163、连接部；17、第一黑矩阵区；18、第二黑矩阵区。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。请参阅图1，图1为本技术实施例提供的一种像素结构的俯视结构示意图。本技术实施例提供的像素结构10，包括基板11以及设于所述基板11上的多条栅极线12和多条数据线13，多条所述栅极线12和多条所述数据线13界定出多个像素单元14。每一所述像素单元14包括像素电极15以及与所述像素电极15相连的至少一电容补偿单元16，每一所述电容补偿单元16包括第一电容补偿部161和第二电容补偿部162，所述第一电容补偿部161与邻近的所述第一数据线131部分重叠，所述第二电容补偿部162与邻近的第二数据线132部分重叠。所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括基板以及设于所述基板上的多条栅极线和多条数据线，多条所述栅极线和多条所述数据线界定出多个像素单元；/n每一所述像素单元包括像素电极以及与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一所述电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，所述第一电容补偿部与邻近的第一数据线部分重叠，所述第二电容补偿部与邻近的第二数据线部分重叠；/n所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减；或者，所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括基板以及设于所述基板上的多条栅极线和多条数据线，多条所述栅极线和多条所述数据线界定出多个像素单元；
每一所述像素单元包括像素电极以及与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一所述电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，所述第一电容补偿部与邻近的第一数据线部分重叠，所述第二电容补偿部与邻近的第二数据线部分重叠；
所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减；或者，所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电容补偿部的横截面面积沿所述第一数据线朝向所述第二数据线的方向递减，所述第二电容补偿部的横截面面积沿所述第一数据线朝向所述第二数据线的方向递增。


3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一电容补偿部和所述第二电容补偿部在所述基板上的正投影的形状为梯形或三角形。


4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，当所述像素电极无偏移时，所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积为A，所述第二电容补偿部与所述第二数据线...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯托，
申请(专利权)人：苏州华星光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32