一种单晶切割改善TTV的切割装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种单晶切割改善TTV的切割装置，属于硅片切割技术领域。该单晶切割改善TTV的切割装置，包括工作台、热交换器、切削液搅拌桶、放线导辊和收线导辊，放线导辊和收线导辊对称设置在工作台的上方，放线导辊和收线导辊之间卷绕有至少一根金钢线，放线导辊和收线导辊的上方设置有切削液喷头；放线导辊和收线导辊上分别均匀间隔设置有导线槽，金钢线的两端卡设在导线槽内，金钢线的两端沿导线槽的长度方向的距离为1‑1.5mm。本实用新型专利技术通过金钢线的轻微倾斜与导线槽形成微小夹角，使得导线槽在给金钢线导向的同时沿导线槽的长度方向对金钢线起到一定的限位作用，大大减小了中高速切割过程中金钢线的晃动。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶切割改善TTV的切割装置
本技术涉及一种单晶切割改善TTV的切割装置，属于硅片切割

技术介绍
在单晶硅片切割领域，出于单晶硅棒原料纯度要求更高，其材料的物理特性，更有利于切割薄硅片，而由于单晶硅片端金钢线切片的导入，实现了成本的快速下降，市场渗透率在不断攀升。使用电镀金刚线切割后，极大的降低了刀缝间硅耗的损失，从而较大程度地减少了硅片的硅成本。电镀金刚线切片可带来单刀产能的提升，金钢线切片机的线速高达1000～1800m/min，比传统的砂浆切片高两到三倍，依据单刀硅片厚度及切割程序，单刀有效切割时间可以降至2.5小时及以内，极大提升了切片的效率，提升了产能。金钢线快速替代传统切割方式成为单晶硅片的主流切割工具，其需求随着单晶市场占比的提高而持续增长。截止目前，金钢线在全球范围内已被广泛应用于单晶硅切片。现有单晶切割，金钢线的线径逐渐趋于细线化，切割的难点主要在于TTV的控制。金钢线的线径细线化后，金钢线的张力也逐渐减小，高速切割过程中，钢线晃动导致硅片表面凹凸不平，不在同一水平，导致TTV偏高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提出一种能够降低TTV的单晶切割改善TTV的切割装置。本技术为解决上述技术问题提出的技术方案是：一种单晶切割改善TTV的切割装置，包括工作台、热交换器、切削液搅拌桶、放线导辊和收线导辊，放线导辊和收线导辊对称设置在工作台的上方，放线导辊和收线导辊之间卷绕有至少一根金钢线，放线导辊和收线导辊的上方设置有切削液喷头，工作台的下方设置有接液箱，接液箱、切削液搅拌桶、热交换器和切削液喷头之间依次通过管路连通；放线导辊和收线导辊上分别均匀间隔设置有导线槽，金钢线的两端卡设在导线槽内，金钢线的两端沿导线槽的长度方向的距离为1-1.5mm。上述技术方案的改进是：接液箱和切削液搅拌桶之间的管路上设置有进液阀，热交换器和切削液喷头之间的管路上设置有出液阀。上述技术方案的改进是：切削液搅拌桶和热交换器之间的管路上设置有循环泵。上述技术方案的改进是：切削液喷头为四个，四个切削液喷头均匀间隔设置。上述技术方案的改进是：放线导辊和收线导辊的轴间距为380mm。上述技术方案的改进是：金钢线的两端沿导线槽的长度方向的距离为1mm。上述技术方案的改进是：金钢线的线径为52μm，导线槽的间隔为0.242mm。上述技术方案的改进是：金钢线的线径为50μm，导线槽的间隔为0.240mm。上述技术方案的改进是：金钢线的线径为47μm，导线槽的间隔为0.237mm。本技术采用上述技术方案的有益效果是：（1）本技术的单晶切割改善TTV的切割装置通过金钢线的两端沿导线槽的长度方向的距离为1-1.5mm，通过金钢线的轻微倾斜与导线槽形成微小夹角，使得导线槽在给金钢线导向的同时沿导线槽的长度方向对金钢线起到一定的限位作用，大大减小了中高速切割过程中金钢线的晃动，有效改善了由于张力偏低、转速不足、金刚线切割能力不足等原因导致的TTV的发生；（2）本技术的单晶切割改善TTV的切割装置通过在放线导辊和收线导辊的上方设置有切削液喷头，在切割过程中能够高效持续的为金钢线降温，延长了金钢线的使用寿命，降低了成本。附图说明下面结合附图对本技术作进一步说明：图1是本技术实施例单晶切割改善TTV的切割装置的结构示意图；图2是本技术实施例单晶切割改善TTV的切割装置的导线槽处局部放大主视图；图3是本技术实施例单晶切割改善TTV的切割装置的导线槽处局部放大俯视图；图4是本技术实施例单晶切割改善TTV的切割装置的导线槽处局部放大立体结构示意图；其中：1-热交换器，2-循环泵，3-切削液搅拌桶，4-出液阀，5-切削液喷头，6-放线导辊，7-金钢线，8-收线导辊，9-工作台，10-接液箱，11-进液阀，12-导线槽。具体实施方式实施例1本实施例的单晶切割改善TTV的切割装置，如图1-4所示，包括工作台9、热交换器1、切削液搅拌桶3、放线导辊6和收线导辊8，放线导辊6和收线导辊8对称设置在工作台9的上方，放线导辊6和收线导辊8之间卷绕有金钢线7，放线导辊6和收线导辊8的上方设置有切削液喷头5，工作台9的下方设置有接液箱10，接液箱10、切削液搅拌桶3、热交换器1和切削液喷头5之间依次通过管路连通；放线导辊6和收线导辊8上分别均匀间隔设置有导线槽12，金钢线7的两端卡设在导线槽12内，金钢线7的两端沿导线槽12的长度方向的距离为1-1.5mm。本实施例的单晶切割改善TTV的切割装置的接液箱10和切削液搅拌桶3之间的管路上设置有进液阀11，热交换器1和切削液喷头5之间的管路上设置有出液阀4。切削液搅拌桶3和热交换器1之间的管路上设置有循环泵2。切削液喷头5为四个，四个切削液喷头5均匀间隔设置。放线导辊6和收线导辊8的轴间距为380mm。金钢线7的线径为52μm，导线槽12的间隔为0.242mm。其中出液阀4和进液阀11均可采用电磁阀或蝶阀。本实施例的单晶切割改善TTV的切割装置通过金钢线7的两端沿导线槽12的长度方向的距离为1-1.5mm，通过金钢线7的轻微倾斜与导线槽12形成微小夹角，使得导线槽12在给金钢线7导向的同时沿导线槽12的长度方向对金钢线7起到一定的限位作用，大大减小了中高速切割过程中金钢线7的晃动，有效改善了由于张力偏低、转速不足、金刚线切割能力不足等原因导致的TTV的发生。本实施例的单晶切割改善TTV的切割装置由于导线槽12的尺寸与切割装置整体的尺寸相差太大，导线槽12的尺寸和金钢线7的尺寸均为微米级，所以导线槽12处的结构采用局部放大图的形式呈现，如图2、3和4。实施例2本实施例的单晶切割改善TTV的切割装置的结构与实施例1基本相同，不同之处在于：金钢线7的两端沿导线槽12的长度方向的距离为1mm。金钢线的线径为50μm，导线槽的间隔为0.240mm。实施例3本实施例的单晶切割改善TTV的切割装置的结构与实施例1基本相同，不同之处在于：金钢线7的两端沿导线槽12的长度方向的距离为1mm。金钢线的线径为47μm，导线槽的间隔为0.237mm。本技术不局限于上述实施例。凡采用等同替换形成的技术方案，均落在本技术要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶切割改善TTV的切割装置，其特征在于：包括工作台、热交换器、切削液搅拌桶、放线导辊和收线导辊，所述放线导辊和收线导辊对称设置在所述工作台的上方，所述放线导辊和收线导辊之间卷绕有至少一根金钢线，所述放线导辊和收线导辊的上方设置有切削液喷头，所述工作台的下方设置有接液箱，所述接液箱、切削液搅拌桶、热交换器和切削液喷头之间依次通过管路连通；/n所述放线导辊和收线导辊上分别均匀间隔设置有导线槽，所述金钢线的两端卡设在所述导线槽内，所述金钢线的两端沿导线槽的长度方向的距离为1-1.5mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶切割改善TTV的切割装置，其特征在于：包括工作台、热交换器、切削液搅拌桶、放线导辊和收线导辊，所述放线导辊和收线导辊对称设置在所述工作台的上方，所述放线导辊和收线导辊之间卷绕有至少一根金钢线，所述放线导辊和收线导辊的上方设置有切削液喷头，所述工作台的下方设置有接液箱，所述接液箱、切削液搅拌桶、热交换器和切削液喷头之间依次通过管路连通；
所述放线导辊和收线导辊上分别均匀间隔设置有导线槽，所述金钢线的两端卡设在所述导线槽内，所述金钢线的两端沿导线槽的长度方向的距离为1-1.5mm。


2.根据权利要求1所述的单晶切割改善TTV的切割装置，其特征在于：所述接液箱和切削液搅拌桶之间的管路上设置有进液阀，所述热交换器和切削液喷头之间的管路上设置有出液阀。


3.根据权利要求2所述的单晶切割改善TTV的切割装置，其特征在于：所述切削液搅拌桶和热交换器之间的管路上设置有循环泵。

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，王艺澄，
申请(专利权)人：江苏美科太阳能科技有限公司，包头美科硅能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32