一种慢提拉清洗水槽制造技术

技术编号:31595218 阅读:16 留言:0更新日期:2021-12-25 11:44
本实用新型专利技术提供了一种慢提拉清洗水槽,包括用于清洗硅片的清洗槽,清洗槽内设置有开口向上的清洗腔,清洗槽的外部设置有慢提拉装置,清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,清洗腔的上端侧壁上设置有溢流口,在清洁槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置。通过高压吹气将慢提拉槽液面浮沫吹至水槽一侧,再通过溢流口将浮沫排走,避免浮沫附着在硅片上缘形成水渍脏污,提高硅片表面质量;当水槽内开始慢提拉上升,红外光电感应装置中的光电开光感应到花篮后停止吹气,节约资源,同时避免高压气对硅片产生损伤。硅片产生损伤。硅片产生损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种慢提拉清洗水槽


[0001]本技术属于单晶硅片清洗的
,具体的是一种慢提拉清洗水槽。

技术介绍

[0002]单晶硅片清洗环节分为溢流预清洗、碱洗、一次溢流漂洗、H2O2浸泡、二次溢流漂洗、慢提拉升温、烘干和自然冷却。硅片需要经过酸洗去除硅片表面氧化物,然后硅片需经过水洗,接着烘干后进入下一道工序,现有的清洗水槽在慢提拉过程中液面会有浮沫,当浸泡在慢提拉水槽中的硅片缓慢拉出水面的同时,浮沫会附着于硅片上缘,在85℃温度环境下,浮沫迅速烘干,但是在硅片表面形成水渍痕迹形成脏污异常,影响硅片表面品质。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种慢提拉清洗水槽用以解决上述
技术介绍
中提出的技术问题。
[0004]本技术解决上述技术问题采用的技术方案为:
[0005]一种慢提拉清洗水槽,包括用于清洗硅片的清洗槽,所述清洗槽内设置有开口向上的清洗腔,所述清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且所述高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,所述清洗腔的上端侧壁上设置有溢流口,在所述清洁槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置。
[0006]进一步地,所述清洗腔至少设置有一个,间隔均匀的设置在所述清洗槽内。
[0007]进一步地,各所述清洗腔的上端侧壁上均设置有所述溢流口,且所述溢流口至少设置有两个,对称设置在所述清洗腔的上端左右两侧壁上。
[0008]进一步地,所述清洗腔的左右两端侧壁外部设置有固定部,所述清洗槽的槽内左右两端各设置有一块连接板,所述固定部与所述连接板连接。
>[0009]与现有技术相比,本技术的有益效果为:
[0010]1、清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,通过高压吹气装置将慢提拉槽液面浮沫吹至清洗腔一侧,并通过溢流口将浮沫排出;溢流口至少设置有两个,对称设置在所述清洗腔的上端左右两侧壁上,当高压吹气装置的风力较大时,浮沫会随风向吹至清洗腔的另一侧,通过另一侧的溢流口将浮沫排出,更有效的避免浮沫附着在硅片上缘形成水渍脏污,提高硅片表面质量。
[0011]2、在清洁槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置,当水槽内开始慢提拉上升,红外光电感应装置中的光电开光感应到花篮后控制高压吹气装置停止吹气,节约资源,同时避免高压气对硅片产生损伤。
附图说明
[0012]图1为本技术一种慢提拉清洗水槽的立体图;
[0013]图2为本技术一种慢提拉清洗水槽的结构示意图;
[0014]图3为本技术一种慢提拉清洗水槽的俯视图;
[0015]图中,1、清洗槽,2、清洗腔,3、慢提拉装置,4、高压吹起装置,5、溢流口,6、红外光电感应装置,7、固定部,8、连接板。
具体实施方式
[0016]为了便于理解本技术,下面将参照相关附图对本技术进行更加全面的描述,附图中给出了本技术的若干实施例,但是本技术可以通过不同的形式来实现,并不限于文本所描述的实施例,相反的,提供这些实施例是为了使对本技术公开的内容更加透彻全面。
[0017]需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上也可以存在居中的元件,当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件,本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0018]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常连接的含义相同,本文中在本技术的说明书中所使用的术语知识为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术,本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0019]实施例,请参照附图1

3,一种慢提拉清洗水槽,包括用于清洗硅片的清洗槽,所述清洗槽内设置有开口向上的清洗腔,所述清洗槽的外部设置有慢提拉装置,所述清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且所述高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,所述清洗腔的上端侧壁上设置有溢流口;在所述清洁槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置,当水槽内开始慢提拉上升,红外光电感应装置中的光电开光感应到花篮后控制高压吹气装置停止吹气,节约资源,同时避免高压气对硅片产生损伤。
[0020]需要说明的是,所述清洗腔至少设置有一个,间隔均匀的设置在所述清洗槽内。各所述清洗腔的上端侧壁上均设置有所述溢流口,通过高压吹气装置将慢提拉槽液面浮沫吹至清洗腔一侧,并通过溢流口将浮沫排出。溢流口至少设置有两个,对称设置在所述清洗腔的上端左右两侧壁上,当高压吹气装置的风力较大时,浮沫会随风向吹至清洗腔的另一侧,通过另一侧的溢流口将浮沫排出,更有效的避免浮沫附着在硅片上缘形成水渍脏污,提高硅片表面质量。
[0021]上述结构中,所述清洗腔的左右两端侧壁外部设置有固定部,所述清洗槽的槽内左右两端各设置有一块连接板,所述连接板的一端与所述固定部连接,另一端与所述慢提拉装置连接。
[0022]上述结合附图对本技术进行了示例性描述,显然本技术具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本技术的方法构思和技术方案进行的这种非实质改进,或未经改进将本技术的构思和技术方案直接应用于其他场合的,均在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种慢提拉清洗水槽,包括用于清洗硅片的清洗槽,所述清洗槽内设置有开口向上的清洗腔,所述清洗槽的外部设置有慢提拉装置,其特征在于,所述清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且所述高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,所述清洗腔的上端侧壁上设置有溢流口,在所述清洗槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置。2.根据权利要求1所述的一种慢提拉清洗水槽,其特征在于,所述清洗腔至少设置有一个,间隔均匀的设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员:钱鑫王艺澄刘传君
申请(专利权)人:江苏美科太阳能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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