【技术实现步骤摘要】
一种基于介质
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超薄掺杂金属
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介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗
[0001]本专利技术属于光学透明件电磁屏蔽领域，特别涉及一种基于介质
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超薄掺杂金属
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介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗。
技术介绍
[0002]从广播、电视、雷达、卫星通讯与导航、移动通信到无线定位、医疗诊断等，电磁波技术广泛应用于人们日常生活和生产的各个领域。尤其是伴随着电磁波通讯技术的不断发展，发射和接收电磁波的终端设备成数量级的增长，电磁波应用波段不断被展宽，并且电磁波发射功率不断增强，造成了日益严重的电磁污染问题。其影响之一是，电磁辐射波谱的展宽和电磁辐射功率的增强带来了严重的电磁干扰，极大地影响了电子系统的稳定性并带来了相应的电子安全性问题，同时也会给人体健康带来危害。
[0003]电磁干扰通常可以通过密闭金属壳体或者涂覆吸波材料解决，然而，该方法不能解决需要视觉观测场合下的电磁干扰屏蔽—也就是透明电磁屏蔽，这也是电磁屏蔽领域的一个公认的热点和难点问题。其实际应用方面，包括一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于介质
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超薄掺杂金属
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介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：由具有方格或圆环外形的介质
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超薄掺杂金属
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介质网栅单元，按二维正交排列方式密接排布构成网栅阵列加载于光学窗透明基片表面；介质
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超薄掺杂金属
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介质由依次层叠的上层介质、中间超薄掺杂金属和下层介质构成。2.根据权利要求1所述的一种基于介质
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超薄掺杂金属
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介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：超薄掺杂金属由两种或两种以上金属材料通过共沉积的方式形成，其中主要金属元素的原子浓度占比大于等于85％，掺杂金属元素的总原子浓度占比小于等于15％；超薄掺杂金属的厚度小于等于30nm，并且大于等于4nm。3.根据权利要求1所述的一种基于介质
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超薄掺杂金属
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介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：其中超薄掺杂金属中主要金属元素为银、铜或者金，掺杂金属元素可以是铝、钛、镍、铬、钽、锗，或者是上述元素中任意两种或两种以上混合。4.根据权利要求1所述的一种基于介质
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超薄掺杂金属
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介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：其中超薄掺杂金属制备采用共沉积方式，在主要金属沉积过程中按一定速率不断掺入少量掺杂金属，可采用电子束蒸发镀膜、热蒸发镀膜或者直流、磁控溅射镀膜等沉积方式；其中通过控制...
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