一种用于强磁场的屏蔽装置制造方法及图纸

技术编号:29048128 阅读:34 留言:0更新日期:2021-06-26 06:06
本申请提供的用于强磁场的屏蔽装置,屏蔽装置为包括多层屏蔽器的复合屏蔽装置,多层屏蔽器由多种不同材料的屏蔽罩同轴环绕而成;复合屏蔽装置的最内层设置聚磁环,聚磁环的一侧设置开口;复合屏蔽装置最外层的屏蔽器上设置有气隙结构;气隙结构的开口与聚磁环的开口背向设置。本装置设计为多层结构,且不同层由不同的材质组合而成,使得屏蔽装置在强磁场环境下解决屏蔽罩磁饱和的问题,且在高磁场干扰环境下,即使外层屏蔽罩磁饱和,最里面一层屏蔽罩仍然有效保护被屏蔽体达到屏蔽效果。同时,该装置非全封闭,是可用于测量导线磁场的开口式屏蔽结构,在多层屏蔽结构外层合理设置气隙,防止过早饱和,并降低交流磁场下涡流效应导致的发热情况。导致的发热情况。导致的发热情况。

【技术实现步骤摘要】
一种用于强磁场的屏蔽装置


[0001]本申请涉及电磁屏蔽
,尤其涉及一种用于强磁场的屏蔽装置。

技术介绍

[0002]屏蔽体为一种具有特定性能的材料,电磁屏蔽技术是指利用屏蔽体阻止或损耗电磁 骚扰能量传输的技术,是抑制电磁干扰的重要手段之一。电磁屏蔽最主要的手段是利用 金属外壳对电场、磁场、电磁场进行屏蔽,传感器屏蔽设计因为高压恶劣的电磁环境而 成为必备的EMC措施。
[0003]目前用于测量导线电流的互感器、霍尔电流传感器等均是通过将被测导线的磁场信 号转换为电信号来测量导线电流值。当外界磁场干扰较强时,被测导线周围的磁场就会 应干扰出现变化,使得测量值不准确。
[0004]针对上述问题,传统技术方案是在传感器周围增加一层由高导磁软磁材料如坡莫合 金、硅钢等制作的屏蔽罩,屏蔽外界磁场的干扰。此技术方案在较小的磁场干扰下往往 能有较好的屏蔽效果,但是在高磁场干扰下,往往效果不佳。虽然高磁导率材料制作屏 蔽罩虽能提供非常好的屏蔽效能,但强干扰磁场下,会使高磁导率材料磁饱和,导致屏 蔽失败。且在交流强磁场作用下,屏蔽材料内会产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于强磁场的屏蔽装置,其特征在于,所述屏蔽装置为包括多层屏蔽器的复合屏蔽装置,所述多层屏蔽器由多种不同材料的屏蔽罩同轴环绕而成;所述复合屏蔽装置的最内层设置聚磁环,所述聚磁环的一侧设置第一气隙结构;所述复合屏蔽装置最外层的屏蔽器上设置有第二气隙结构;所述第一气隙结构与第二气隙结构的开口背向设置。2.根据权利要求1所述的用于强磁场的屏蔽装置,其特征在于,所述屏蔽装置为包括第一屏蔽层和第二屏蔽层的双层屏蔽装置;所述第一屏蔽层的厚度为1mm,所述第二屏蔽层...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔志刚赵现平沈龙汪耀辉董俊贤高景林洪志湖
申请(专利权)人:云南电网有限责任公司电力科学研究院
类型:发明
国别省市:

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