半导体器件和方法技术

本公开涉及半导体器件和方法。提供了一种半导体器件及其制造方法，其利用金属种子来辅助使铁电层结晶。在实施例中，金属层和铁电层彼此相邻地形成，并且然后金属层扩散到铁电层中。一旦就位，则执行结晶工艺，其利用金属层的材料作为种子晶体。材料作为种子晶体。材料作为种子晶体。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和方法


[0001]本公开涉及半导体器件和方法。

技术介绍

[0002]半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式来制造半导体器件：依次在半导体衬底之上沉积材料的绝缘或电介质层、导电层和半导体层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件集成到给定面积中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应当解决的其他问题。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：界面层，在半导体鳍之上；结晶的铁电层，与所述界面层实体接触，所述结晶的铁电层包括多个结晶区域，在所述多个结晶区域中的相邻结晶区域之间具有晶粒边界，所述多个结晶区域中的每一者包括多个金属种子之一；以及导电堆叠，在所述结晶的铁电层之上。
[0005]根据本公开的另一实施例，提供了一种半导体器件，包括：导电栅极堆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：界面层，在半导体鳍之上；结晶的铁电层，与所述界面层实体接触，所述结晶的铁电层包括多个结晶区域，在所述多个结晶区域中的相邻结晶区域之间具有晶粒边界，所述多个结晶区域中的每一者包括多个金属种子之一；以及导电堆叠，在所述结晶的铁电层之上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属种子是金属氧化物。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结晶的铁电层包括过渡金属氧化物，并且所述金属种子包括结合至所述过渡金属氧化物的金属。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属种子均匀地分布在所述结晶的铁电层内。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属种子是氧化镍。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属种子是氧化镁。7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏峰，杨世海，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：