过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置制造方法及图纸

存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于对应位线。在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数。若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时，对多个对应行执行过抹除校正。对多个对应行执行过抹除校正。对多个对应行执行过抹除校正。

【技术实现步骤摘要】
过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置


[0001]本专利技术关于一种存储器装置，特别是一种过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置。

技术介绍

[0002]闪存广泛应用于各种电子装置以提供非挥发性的数据存储。闪存包含存储器区块，可供编程、抹除及读取，每个存储器区块可设为抹除状态或编程状态。
[0003]在抹除操作中，通常是以存储器区块为单位，首先被预编程至编程状态以将一存储器区块的所有存储器单元设于已知水平，接着施加抹除脉冲至存储器区块一定时间以除去存储器区块之存储器单元的电荷以将存储器区块设为抹除状态，最后施加过抹除校正至存储器区块以缩小存储器区块中存储器单元的临界值电压的分布。然而闪存于过抹除校正完成前被关闭时，过抹除的存储器单元将保持未校正状态，在电力开启后，由于过抹除的存储器单元会持续抽取背景漏电流，而导致从闪存读取的数据发生错误。例如，对于耦接于同一条位线的512个存储器单元，若位线上有大量被过抹除的存储器单元，而且被过抹除的存储器单元在未被选定时持续抽取漏电流，在位线上累积的电流可能超过存储器单元读取电流，造成从闪存读取的数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过抹除校正方法，用于存储器装置中，所述存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于一对应位线，所述过抹除校正方法包含：在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中所述组存储器区块包含所述多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及若所述组存储器区块中的所述多个对应行的所述漏电流大于所述预定水平时，对所述多个对应行执行过抹除校正。2.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中检测所述组存储器区块中所述多个对应行的所述漏电流是否大于所述预定水平包含：同时选择耦接于所述多个对应行的多条位线以检测所述漏电流。3.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中所述组存储器区块包含两个或更多个存储器区块。4.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中对所述多个对应行执行过抹除校正包含：施加至少一个过抹除校正脉冲至所述多个对应行。5.一种过抹除校正方法，用于存储器装置中，所述存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于对应位线，所述过抹除校正方法包含：在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中的多个对应行的漏电流是否大于预定水平；若所述组存储器区块中的所述多个对应行的所述漏电流大于所述预定水平时，检测所述组存储器区块中的哪个存储器区块是漏电存储器区块，其中所述组存储器区块包含所述多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及对所述漏电存储器区块的对应行执行过抹除校正。6.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，其中检测所述组存储器区块中的哪个存储器块是所述漏电存储器区块包含：选择位线，所述位线耦接于所述组存储器区块中的存储器区块的一对应行，同时取消选择多条位线，所述多条位线耦接于所述组存储器区块中的剩余存储器区块的多个对应行，以检测所述存储器区块是否为所述漏电存储器区块。7.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，还包含：判断所述漏电存储器区块的所述对应行之后的所述漏电存储器区块的后续行是否具有漏电流。8.根据权利要求7所述的过抹除校正方法，还包含：若所述漏电存储器区块的所述后续行具有所述漏电流，对所述漏电存储器区块的所述后续行执行过抹除校正。9.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，其中对...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈致豪，
申请(专利权)人：晶豪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：