【技术实现步骤摘要】
负载锁定装置及基片传片方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种负载锁定装置及基片传片方法。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造工序中，通常使用各种真空处理腔室在真空环境中对基片实施如薄膜沉积、蚀刻、氧化或氮化、热处理等特定处理，而从外部向这样的真空处理腔室进行基片的传送，通常是通过具备将其内部压力在大气气压状态和真空状态之间切换的负载锁定装置(loadlock chamber)来进行。
[0003]负载锁定装置用于传送晶圆或玻璃之类的基片从非真空状态到高真空状态，其需要具有一定的真空度，同时，对于装载数量也有需求。
[0004]然而，现有技术的负载锁定装置仅具有两层工位槽，其中，上层工位槽用于真空第一机械手取片，下层工位槽用于真空第一机械手放片。对于高温制程，诸如CVD工艺而言，完成相应制程的晶圆温度较高，约750摄氏度左右，因此，高温基片传送至负载锁定装置后，需要冷却后才能传送至大气状态，负载锁定装置的两层工位槽被长时间占用，导致设备运行效率较低，制约了晶圆的生产效率。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种负载锁定装置，具有腔室主体，所述腔室主体的侧壁具有第一开口，第一机械手自所述第一开口传送基片至所述腔室主体内，其特征在于，所述腔室主体包括：基片基座，固设于所述腔室主体内侧的底部，所述基片放置于所述基片基座的顶面；若干置放组件，分别沿所述基片基座的周向设置，且固定连接所述腔室主体的底部，各所述置放组件包括转动连接的第一驱动组件及第一置放件，所述第一置放件具有相对的支撑端和连接端，所述支撑端支撑所述基片，所述连接端转动连接所述第一驱动组件，所述第一驱动组件驱动所述第一置放件在水平状态和竖直状态之间转动；支撑组件，包括固定连接的支撑座、若干支撑杆及第二驱动组件，所述支撑杆可移动地穿设于所述基片基座内，所述支撑杆的顶端支撑所述基片，相对的底端固定连接所述支撑座，所述支撑座设于所述基片基座的底部，并固定连接所述第二驱动组件，所述第二驱动组件驱动所述支撑座带动所述支撑杆相对于所述基片基座的顶面在初始位置和第一位置之间垂直移动；其中，水平状态的所述第一置放件的所述支撑端平行于所述基片基座的顶面，竖直状态的所述第一置放件的所述支撑端垂直于所述基片基座的顶面；初始位置的所述支撑杆的顶面低于所述基片基座的顶面，第一位置的所述支撑杆的顶面高于所述基片基座的顶面，且高于水平状态的所述第一置放件的所述支撑端。2.如权利要求1所述的负载锁定装置，其特征在于，所述第一驱动组件包括耦合的电磁驱动组件和曲柄连杆机构，所述连接端转动连接所述曲柄连杆机构；所述电磁驱动组件驱动所述曲柄连杆机构带动所述第一置放件绕所述连接端在水平状态和竖直状态之间转动。3.如权利要求2所述的负载锁定装置，其特征在于，所述腔室主体还包括置放支座，所述置放支座固定连接所述腔室主体内侧的底部，具有对应所述基片基座的基座开口；所述基片基座固设于所述基座开口内，且顶面平齐于所述置放支座的顶面；各所述置放组件固定连接所述置放支座的顶面。4.如权利要求3所述的负载锁定装置，其特征在于，所述腔室主体的侧壁还具有第二开口，第二机械手自所述第二开口传送常温基板至所述腔室主体内；所述置放组件还包括自下而上依次设置的支撑支座及若干层连接件，相邻所述连接件之间设有第二置放件；所述支撑支座固定连接所述置放支座的顶面，所述第二置放件的一端放置所述常温基板，相对的另一端固定连接所述连接件；所述第一置放件设于最底层的所述连接件与所述置放支座之间，所述曲柄连杆机构设于所述置放支座内，所述电磁驱动组件穿过所述置放支座固定连接所述曲柄连杆机构。5.如权利要求4所述的负载锁定装置，其特征在于，所述电磁驱动机构包括固定套筒、电磁铁及磁铁滑块，所述固定套筒的顶部固定连接所述置放支座的底面，所述电磁铁及所述磁铁滑块设于所述套筒内；其中，所述磁铁滑块间隔设于所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：高飞翔，李世敏，冯琳，
申请(专利权)人：上海广川科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。