【技术实现步骤摘要】
一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法
[0001]本专利技术涉及瑕疵测量设备
,具体为一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆,晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大。
[0003]晶圆是制造半导体器件的基础性原材料,极高纯度的半导体经拉晶、切片等工序制备成为晶圆,晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构,再经切割、封装、测试成为芯片,广泛应用到各类电子设备当中,晶圆投入使用前需要对表面瑕疵进行测量,避免影响芯片的电器特性,但是现有的测量装置存在上下料不方便,不能连续不间断的测量,且不能对晶圆的厚度进行测量,并且测量时,装置内容易进灰,影响测量精准度的缺点。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法,以解决上述
技术介绍
中提出上下料不方便、不能测量厚度和容易进灰的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
中任一项所述的一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置,其步骤如下:步骤一:向上推动推拉移门(27),推拉移门(27)在滑动槽(26)内向上移动,在合适的高度停止,推拉移门(27)左右两端的第一磁铁(28)和第二磁铁(29)磁性相吸,从而保证推拉移门(27)在当前位置固定;步骤二:将多个待测量的晶圆放入储料架(12)中,通过外接的控制器启动测量装置,风机(16)将空气吸入并过滤,将过滤后的洁净空气以垂直或水平气流的状态送入防尘罩(4)内,使检测工作台(1)和防尘罩(4)形成无菌的高洁净的工作环境;步骤三:通过正极(20)和负极(21),在强电场中空气分子被电离为正离子和电子,电子奔向正极(20)过程中遇到尘粒,使尘粒带负电吸附到正极(20)被收集;步骤四:第二电机(3)带动第一升降气缸(8)逆时针转动,使第一吸盘(10)与储料架(12)内的晶圆上下对齐,第一升降气缸(8)带动横杆(9)和第一吸盘(10)向下,吸住晶圆,然后第二电机(3)带动第一升降气缸(8)顺时针转动,使第一吸盘(10)与转盘(6)上端右侧的测量槽(13)上下对齐,然后再次下降第一升降气缸(8),将第...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱智能,冯应猛,张忠利,
申请(专利权)人:深圳鹏瑞智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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