半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺腔室的清洗控制方法，该半导体工艺腔室包括用于加工晶片的工艺腔室，该方法包括：记录工艺腔室加工待加工工件的加工计数，当加工计数大于或等于当前工单对应的预设数量阈值时，控制工艺腔室进行工单内清洗，并重置加工计数，其中，工单内清洗为对移出待加工工件的工艺腔室进行具有第一工艺配方的第一干式清洗。在本发明专利技术中，控制装置能够在工艺腔室的加工计数达到预设数量阈值时，控制工艺腔室进行工单内清洗，每加工完成几个晶片，即启动一次工单内清洗，从而使同一工单中的所有晶片加工时所处的腔室环境尽可能保持一致，进而提高了同一工单的产品片之间的一致性。本发明专利技术还提供一种半导体工艺腔室。室。室。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室


[0001]本专利技术涉及半导体工艺腔室领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室的清洗控制方法和一种半导体工艺腔室。

技术介绍

[0002]在晶片的连续生产过程中，等离子体刻蚀设备的工艺稳定性与晶片的产品良率之间存在密切的联系。刻蚀工艺过程中通常会有大量的副产物产生，这些副产物大部分被抽气管路带走，少部分沉积在腔室内的内壁各处，随着残留副产物的不断沉积，对后续的工艺会产生影响，导致工艺结果的不重复，因此通常需要在每一批晶片(如，每一工单对应的所有晶片)加工完成后增加腔室清洁环节，即，向腔室中通入一定量的气体，通过射频启辉将副产物去除。
[0003]然而，在通过现有的腔室清洁方案进行工单间清洁时，常出现产品质量不稳定的问题，产品片之间的一致性差。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在提供一种半导体工艺腔室的清洗控制方法和一种半导体工艺腔室，该清洗控制方法能够提高产品片之间的一致性。
[0005]为实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种半导体工艺腔室的清洗控制方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室的清洗控制方法，所述半导体工艺腔室用于加工待加工工件，其特征在于，所述清洗控制方法包括：记录所述工艺腔室加工待加工工件的加工计数，当所述加工计数大于或等于当前工单对应的预设数量阈值时，控制所述工艺腔室进行工单内清洗，并重置所述加工计数，其中，所述工单内清洗为对移出所述待加工工件的所述工艺腔室进行具有第一工艺配方的第一干式清洗。2.根据权利要求1所述的清洗控制方法，其特征在于，所述工艺腔室按批次清洗待加工工件，所述清洗控制方法还包括：在所述工艺腔室开始清洗当前批次所述待加工工件前，获取当前批次所述待加工工件对应的工单，所述工单包括预设数量阈值信息。3.根据权利要求2所述的清洗控制方法，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括清洗储片装置，用于存储清洗片，所述清洗片用于遮蔽所述工艺腔室内的卡盘，所述工单还包括清洗片选择信息，所述清洗控制方法还包括：在所述工单中的清洗片选择信息为肯定信息时，将所述清洗储片装置中的所述清洗片放置于所述卡盘上后，再控制所述工艺腔室接收所述清洗储片装置中的清洗片并进行所述工单内清洗；在所述工单中的清洗片选择信息为否定信息时，控制所述工艺腔室直接进行工单内清洗。4.根据权利要求3所述的清洗控制方法，其特征在于，所述工单还包括干式清洗选择信息，所述工单内清洗后还包括：在所述工单中的干式清洗选择信息为肯定信息时，在所述工艺腔室完成工单内清洗后，控制所述工艺腔室进行具有第二工艺配方的第二干式清洗。5.根据权利要求4所述的清洗控制方法，其特征在于，所述工单还包括清洗片选择信息，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤艳艳，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：