【技术实现步骤摘要】
一种外延设备的气体供应方法及装置
[0001]本专利技术涉及外延设备领域,尤其涉及一种外延设备的气体供应方法及装置。
技术介绍
[0002]外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层(Si衬底上生长Si外延层),也可以是异质外延层(Si衬底上生长SiGe外延层或Si衬底上生长上SiC外延层);同样实现外延生长也有很多方法,包括分子束外延,超高真空化学气相沉积,常压及减压外延等等。
[0003]在现有氢化物气相外延机台中,气体进口到喷淋头是通过直管连接。气体从进口到喷淋头所经历的距离较短,加热炉无法及时将气体加热到足够高的温度,因此气体从喷淋头喷出时的温度偏低。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种外延设备的气体供应方法及装置,旨在解决了现有设备加热效果不好,使得温度难以达到预定值的问题。
[0005]为实现上述目的,第一方面,本专利技术提供了一种外延设备的气体供应装置,包括支撑组件、第一加热组件、第二加热组件和输出组件,所述支撑组 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种外延设备的气体供应装置,其特征在于,包括支撑组件、第一加热组件、第二加热组件和输出组件,所述支撑组件包括壳体、底座和控制盒,所述壳体具有进气口、排气口、反应腔,第一安装槽和第二安装槽,所述进气口和所述排气口位于所述反应腔的两侧,所述第一安装槽和所述第二安装槽位于所述反应腔的两侧,所述底座与所述壳体固定连接,并位于所述壳体的一侧,所述控制盒与所述底座固定连接,并位于所述底座的一侧,所述第一加热组件包括第一支撑板、多个第一安装板和多个第一加热电阻,多个所述第一安装板与所述壳体滑动连接,并位于所述第一安装槽内,所述第一支撑板与多个所述第一安装板固定连接,并位于所述第一安装板的一侧,多个所述第一加热电阻分别与多个所述第一安装板固定连接,并位于所述第一安装板内,所述第二加热组件包括第二支撑板、多个第二安装板和多个第二加热电阻,多个所述第二安装板与所述壳体滑动连接,并位于所述第二安装槽内,且与所述第一安装板交叉设置,所述第二支撑板与多个所述第二安装板固定连接,并位于所述第二安装板的一侧,多个所述第二加热电阻分别与多个所述第二安装板固定连接,并位于所述第二安装板内,所述输出组件与所述壳体连通,并位于所述排气口一侧。2.如权利要求1所述的一种外延设备的气体供应装置,其特征在于,所述支撑组件还包括隔热层,所述隔热层与所述壳体固定连接,并位于所述壳体的两侧。3.如权利要求2所述的一种外延设备的气体供应装置,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖秋林,秦月明,赵肃,
申请(专利权)人:桂林雷光科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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