一种用于5G滤波器表面的薄膜层及其制备方法技术

本申请涉及真空镀膜领域，具体公开了一种用于5G滤波器表面的薄膜层及其制备方法。用于5G滤波器表面的薄膜层包括依次覆盖于5G滤波器表面的Cr层、WC层以及Ni层；其制备方法包括以下步骤：步骤1，清洗5G滤波器；步骤2，真空镀膜室内离子清洗；步骤3，沉积Cr层；步骤4，沉积WC层；步骤5，沉积Ni层；采用上述制备方法制得5G滤波器。本申请的薄膜层可用于5G滤波器表面，其具有提高5G滤波器表面与电镀层的附着力的优点；另外，本申请的制备方法具有易于生产控制，有利于实现批量工业化生产的优点。有利于实现批量工业化生产的优点。有利于实现批量工业化生产的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于5G滤波器表面的薄膜层及其制备方法


[0001]本申请涉及真空镀膜领域，更具体地说，它涉及一种用于5G滤波器表面的薄膜层及其制备方法。

技术介绍

[0002]5G技术是目前最新一代蜂窝移动通信技术，相比于4G技术，5G技术对射频通路的要求也有了大幅增加，单个射频单元中的滤波器从传统的4G时代的以2发2收为主，到如今的高达64发64收，甚至128发128收。因此，滤波器的性能好坏对于5G技术的发展具有举足轻重的作用。
[0003]滤波器的表面一般都镀有银层，主要用于屏蔽信号。目前，滤波器表面的银层主要是通过以下步骤制得的：先将陶瓷滤波器清洗干净并烘干，去除陶瓷滤波器表面残余的污渍，再将陶瓷滤波器浸泡在银浆中，使得陶瓷滤波器表面均匀涂覆有银浆层，然后将陶瓷滤波器放入烘银炉内烘干，最后再将陶瓷滤波器放入烧银炉中进行烧银，使得陶瓷滤波器表面形成银层。
[0004]针对上述中的相关技术，专利技术人认为，银层与陶瓷表面的附着力差，容易对陶瓷滤波器的性能产生影响，因此，仍有改进的空间。

技术实现思路

>[0005]为了提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于5G滤波器表面的薄膜层，其特征在于：包括依次覆盖于5G滤波器（1）表面的Cr层（2）、WC层（3）以及Ni层（4）。2.一种如权利要求1所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1，清洗5G滤波器（1），并将清洗后的5G滤波器（1）放入真空镀膜室中加热、抽真空；步骤2，往真空镀膜室中通入氩气，并对5G滤波器（1）表面进行离子清洗；步骤3，开启Cr靶，采用磁控溅射法在5G滤波器（1）表面沉积Cr层（2）；步骤4，关闭Cr靶，通入乙炔气体，开启WC靶，采用磁控溅射法在Cr层（2）表面沉积WC层（3）；步骤5，关闭WC靶，通入氩气，开启Ni弧靶，采用电弧离子镀在WC层（3）表面沉积Ni层（4）。3.根据权利要求2所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，控制气压为0.3
‑
0.4Pa，偏压设定为（
‑
100）
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（
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150）V，开启Cr靶，设定Cr靶的电流为25
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30A，Cr层（2）的沉积时间为10
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15min。4.根据权利要求2所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤4中，关闭Cr靶，通入乙炔气体，控制气压为0.3
‑
0.4Pa，偏压设定为（
‑
100）
‑
（
‑
150）V，开启WC靶，设定WC靶的电流为25
‑
30A，WC层（3）的沉积时间为30
‑
40min。5.根据权利要求2所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤5中，关闭WC靶，通入氩气，控制气压为0.1
‑
0.2Pa，偏压设定为（
‑
100）
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（
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150）V，开启Ni弧靶，设定Ni弧靶的弧电流为95
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105A，Ni层（4）的沉积时间为30
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40min。6.根据权利要求2所述的用于5...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵明华，汪达文，汪经纬，武俊伟，
申请(专利权)人：森科五金深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：