一种改善SiC器件界面特征的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善SiC器件界面特征的方法，包括以下步骤：S1、对SiC器件表面进行光刻胶的涂覆；S2、对SiC器件进行加热；S3、对SiC器件进行高温退火；S4、清洗SiC器件表面；S5、对SiC器件表面进行氧化；S6、对SiC器件表面进行退火；S7、对SiC器件表面进行二次氧化；S8、紫外线照射；S9、清理表面；S10、性能测试；本发明专利技术在使用时，通过对SiC器件表面涂覆光刻胶，并使其表面碳化形成碳化膜对SiC器件表面粗糙度进行改善，并在对SiC器件进行氧化处理后，通过湿氧二次氧化法对SiC器件进行二次氧化处理，减小SiC器件过渡区厚度并降低过渡区成分含量；本发明专利技术在使用时，通过多次性能测试，对SiC器件改善过程中存在的问题进行记录，便于进行进一步的改善工作。的改善工作。的改善工作。

【技术实现步骤摘要】
一种改善SiC器件界面特征的方法


[0001]本专利技术涉及SiC器件改善
，具体为一种改善SiC器件界面特征的方法。

技术介绍

[0002]碳化硅又名碳硅石、金刚砂，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石，在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂，碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α
‑
SiC，黑碳化硅含SiC约95％，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等，绿碳化硅含SiC约97％以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具，此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32
‑
0.16微米一次加工到Ra0.04
‑r/>0.02微米。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善SiC器件界面特征的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、对SiC器件表面进行光刻胶的涂覆，将光刻胶涂覆于SiC器件的表面，涂覆后自然风干30
‑
45min，风干时控制室温在25
‑
30℃；S2、对SiC器件进行加热，将SiC器件放于加热设备中，将其加热至550
‑
650℃，使SiC器件表面形成碳化膜，加热时长为30
‑
35min；S3、对SiC器件进行高温退火，将加热后的SiC器件冷却至室温后，放入退火设备中进行高温退火激活；S4、清洗SiC器件表面，对SiC器件表面进行清洗，对杂质进行去除，清洗后对SiC器件进行风干，风干时长为15
‑
20min；S5、对SiC器件表面进行氧化，以纯氧气氛干氧对SiC器件表面进行氧化，氧化时长为15
‑
20min，将SiC器件放入氧化设备前，将氧化设备内部温度预热至300
‑
500℃，预热时长为15
‑
25min；S6、对SiC器件表面进行退火，以高温氮气对SiC器件表面进行退火，退火时长为25
‑
35min，氮气温度为1000
‑
1200℃；S7、对SiC器件表面进行二次氧化，以湿氧二次氧化法对SiC器件表面进行二次氧化，氧化时长为25
‑
35min，对SiC器件进行二次氧化前，将二次氧化设备预热至400
‑
500℃，预热时长为25
‑
30min；S8、紫外线照射，使用紫外线照射设备对SiC器件表面进行照射；S9、清理表面，对SiC器件表面进行清理，清理前对SiC器件表面进行修整，使SiC整体厚度不超过原有厚度的125％；S10、性能测试，取同一批次不同标准生产的Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：白欣娇，李帅，崔素杭，张策，李晓波，张乾，敖金平，
申请(专利权)人：同辉电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：