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本发明公开了一种改善SiC器件界面特征的方法，包括以下步骤：S1、对SiC器件表面进行光刻胶的涂覆；S2、对SiC器件进行加热；S3、对SiC器件进行高温退火；S4、清洗SiC器件表面；S5、对SiC器件表面进行氧化；S6、对SiC器件表面...
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