形成半导体结构的方法及半导体结构技术

本发明专利技术公开了一种形成半导体结构的方法及半导体结构，此方法包含提供半导体基板，以及使用原子层气相沉积设备，在半导体基板上形成钝化层，且此半导体结构包含半导体基板、钝化层、背电场层以及电极层。背电场层设置于钝化层上。背电场层与半导体基板分别位于钝化层的相对两侧。电极层设置于背电场层上。电极层与该钝化层分别位于该背电场层的相对两侧。本发明专利技术可在低温的环境下形成薄厚度、高均匀度及低介面缺陷密度的钝化层，故可降低热预算，以避免可能对半导体基板的伤害，且可提升钝化层的形成品质，例如提升钝化层的披覆效果。例如提升钝化层的披覆效果。例如提升钝化层的披覆效果。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体结构的方法及半导体结构


[0001]本专利技术是有关于半导体结构的形成，且特别是一种形成具有薄厚度、高均匀度及低介面缺陷密度的钝化层的半导体结构的方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体相关产业中，钝化结构与工艺是不可或缺的重要结构与工艺。以太阳能电池产业为例，传统背电场(Back Surface Field，BSF)太阳能电池，射极与背电极钝化(Passivated Emitter and Rear Cell，PERC)太阳能电池、异质接面薄本质层(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer，HIT)太阳能电池、或是穿隧氧化物钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPcon)太阳能电池等均具有钝化层。举例而言，高效硅基太阳能电池结构所采用的穿隧钝化层薄膜是以化学湿工艺或高温氧化工艺来制作，但穿隧钝化层薄膜的厚度与均匀度的控制均受到考验，在大量生产过程中易导致合格率不佳的问题产生。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：提供半导体基板；以及使用原子层气相沉积设备，在所述半导体基板上形成钝化层，其中所述原子层气相沉积设备在形成所述钝化层时使用前驱物，且所述前驱物包含含硅化合物。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子层气相沉积设备是等离子体辅助原子层气相沉积设备，且在形成所述钝化层的期间，所述等离子体辅助原子层气相沉积设备的腔体压力为400毫托至800毫托。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述钝化层的期间，所述等离子体辅助原子层气相沉积设备产生的射频频率为40.68MHz。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述钝化层的期间，所述等离子体辅助原子层气相沉积设备将所述半导体基板加热至摄氏150度至摄氏250度，且所述等离子体辅助原子层气相沉积设备产生的射频功率密度为60毫瓦/平方厘米。5.如权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昌鑫，黄俊凯，洪政源，田伟辰，吴以德，
申请(专利权)人：财团法人金属工业研究发展中心，
类型：发明
国别省市：