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本发明公开了一种形成半导体结构的方法及半导体结构，此方法包含提供半导体基板，以及使用原子层气相沉积设备，在半导体基板上形成钝化层，且此半导体结构包含半导体基板、钝化层、背电场层以及电极层。背电场层设置于钝化层上。背电场层与半导体基板分别位于...
该专利属于财团法人金属工业研究发展中心所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人金属工业研究发展中心授权不得商用。

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