用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法技术

本发明专利技术提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的样品的处理方法包括：在晶圆上获取待分析的芯片样品；将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明专利技术的技术方案降低了金属表面出现铜扩散的概率，使得在失效分析过程中制备芯片样品的失败率大大降低，并且缩短了分析周期，加快了找到芯片失效关键原因的速度。的速度。的速度。

【技术实现步骤摘要】
用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法。

技术介绍

[0002]半导体失效分析是借用各种测试分析工具和分析过程来确认芯片内部的失效现象、分辨其失效模式和失效机理、确定其最终的失效原因。
[0003]传统的半导体工艺主要采用铝金属作为金属互连材料，铝原子较活泼易发生电迁移现象，而铜相比于铝更不容易发生电迁移，同时由于铜的电阻率小于铝的电阻率，因此采用铜作为金属互连材料不仅可以避免电迁移现象同时可以极大地降低互金属互连线的电阻；但是铜金属具有易扩散的显著缺陷，例如铜在硅和二氧化硅中有很高的扩散率，这种高扩散率很容易破坏器件的性能，工艺上往往在铜布线层和介质隔离层之间加上阻挡层材料，例如氮化钽(TaN)、钽(Ta)等，所述阻挡层材料的作用是加固附着并有效地阻止铜的扩散。但是对于实际失效分析工作中，研磨到芯片中铜连线的表层，铜连线表面裸露在外界，极易发生扩散导致铜连线的开路或者短路，进而影响后续电性测试分析判断，这对精确发现芯片失效根本原因具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，包括：S1：在晶圆上获取待分析的芯片样品；S2：将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；S3：在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。2.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S1还包括：对所述芯片样品四周以及背面倒角。3.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S2还包括通过光学显微镜观察芯片表面颜色，判断所述芯片样品是否已被去层至所述目标铜金属层结构上表面，若观察到未去层至所述目标铜金属层结构上表面，则继续去层直到达到所述目标铜金属层结构上表面。4.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S3具体包括：将所述芯片样品洗净吹干，利用电子显微镜定位到待检测位置，对所述芯片样品的所述待检测位置进行电子束扫描，通过电子束与所述芯片样品表面作用在所述目标金属层结构上表面的所述待检测位置形成镀碳保护层。5.如权利要求4所述的用...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁亚东，梁婉怡，凌翔，高金德，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：