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本发明提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的样品的处理方法包括：在晶圆上获取待分析的芯片样品；将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明的技术...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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