一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法，掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。本发明专利技术采用掺Al氧化镓单晶，通过在氧化镓中掺杂Al提高探测器的电阻率，并将掺Al氧化镓单晶切割后得到单晶基体片，并对单晶基体片进行退火处理，通过退火处理降低掺Al氧化镓单晶中自由电子浓度，从而提高探测器的灵敏度。从而提高探测器的灵敏度。从而提高探测器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电子器件
，尤其涉及的是一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]X射线是一种高能射线，在被发现之后，对人类社会产生了深远且广泛的影响，现在X射线已经在医学诊断、环境监测、安全检查、工业无损监测、高等物理等领域广泛应用。X射线的探测是应用X射线的关键技术之一，不断发展X射线探测器的材料和器件技术是目前X射线应用领域的重要发展方向。闪烁体X射线探测器常用NaI材料，探测X射线能量的线性度不好，其能量分辨率很差，一般都在50％
‑
60％；且NaI(Tl)探测器需要配备光电倍增管，系统较为笨重。气体X射线探测器体积大、探测效率低。
[0003]现有技术中，氧化镓X射线探测器体积小，但是灵敏度较低，响应时间较慢。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法，旨在解决现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。2.根据权利要求1所述的掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为1250
‑
1600℃，所述退火处理的时间为5
‑
20h，所述退火处理的气氛为空气或氧气。3.根据权利要求1所述的掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述叉指电极包括：Ti层和导电保护层，所述Ti层与所述退火的单晶基体片连接，所述导电保护层与所述Ti层连接；所述Ti层的厚度为10
‑
20nm，所述导电保护层的厚度为50
‑
200nm。4.根据权利要求3所述的掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述导电保护层包括：Au层或Al层；和/或，所述叉指电极中叉指的宽度为50μm
‑
200μm；所述叉指电极中相邻两个叉指的间隔为50μm
‑
200μm。5.根据权利要求4所述的掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器，包括：对所述退火的单晶基体片进行抛光处理和超声处理得到超声的单晶基体片；在所述超声的单晶基体片上采用磁控溅射镀膜或者电子束蒸镀形成叉指电极得到掺Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，赛青林，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：